发明名称 Halbleitervorrichtung
摘要 Eine Halbleitervorrichtung (100) weist wenigstens eine Zener-Diode (Z1, Z2) auf, welche zwischen einen Außenanschluss (t1, t2) und Masse (g) geschaltet ist, sowie einen Widerstand (Ra), der mit der Zener-Diode (Z1, Z2) in Serienverbindung ist. Die Zener-Diode (Z1, Z2) und der Widerstand (Ra) teilen eine Rausch- oder Störspannung, so dass die Halbleitervorrichtung (100) eine hohe Rauschtoleranz hat, auch wenn keine Zener-Diode verwendet wird.
申请公布号 DE102005040342(A1) 申请公布日期 2006.03.30
申请号 DE20051040342 申请日期 2005.08.25
申请人 DENSO CORP., KARIYA 发明人 YAMASHITA, YASUHIRO;KUNOU, TADASHI
分类号 H01L23/62 主分类号 H01L23/62
代理机构 代理人
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