发明名称 抗蚀剂剥离剂组合物
摘要 本发明涉及在半导体器件如集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路制造工艺中,用于除去抗蚀剂的抗蚀剂剥离剂组合物。该组合物包括a)10-40wt%水溶性氨基醇化合物,b)40-70wt%选自如下化合物的水溶性有机溶剂:二甲亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)及其混合物,c)10-30wt%水,d)5-15wt%包含两个或三个羟基的有机酚化合物,e)0.5-5wt%三唑化合物,和f)0.01-1wt%聚氧乙烯烷基胺醚类型表面活性剂。
申请公布号 CN1248057C 申请公布日期 2006.03.29
申请号 CN01823277.9 申请日期 2001.05.21
申请人 东进瑟弥侃株式会社 发明人 白志钦;吴昌一;柳终顺
分类号 G03F7/42(2006.01) 主分类号 G03F7/42(2006.01)
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人 王琦;宋志强
主权项 1、一种抗蚀剂剥离剂组合物,包括:a)10~40wt%水溶性氨基醇化合物;b)40~70wt%选自如下化合物的水溶性有机溶剂:二甲亚砜(DMSO)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)及其混合物;c)10~30wt%水;d)5~15wt%包含两个或三个羟基的有机酚化合物,所述有机酚化合物由如下通式1表示,<img file="C018232770002C1.GIF" wi="229" he="212" />[通式1]其中m是2或3的整数;e)0.5~5wt%三唑化合物;和f)0.01~1wt%聚氧乙烯烷基胺醚型表面活性剂。
地址 大韩民国仁川市西区