平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法

摘要

一种平坦多晶硅薄膜晶体管制作方法，先在基板上依序形成缓冲层、保护层以及多晶硅层，并图案化多晶硅层，以定义出硅岛主动区域。然后，植入离子于部分多晶硅层，使形成源/汲极区于多晶硅层中。接着，以稀释缓冲氧化硅蚀刻液微蚀刻处理多晶硅层，以改变多晶硅层表面型态，最后，再利用激光退火制程，以同时使多晶硅部分融化，产生表面晶格重构而形成平坦表面，并活化多晶硅层的源/汲极区。

主权项

1.一种平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法，包含：形成缓冲层于基板上；形成保护层于缓冲层上；形成多晶硅层于保护层上；图案化多晶硅层，以形成至少一个硅岛主动区域，并于该硅岛主动区域两侧暴露出保护层；植入离子于硅岛主动区域的部分，使形成一源极区以及一汲极区于多晶硅层之中；微蚀刻多晶硅层表面，改变多晶硅层之表面型态；以及进行激光退火制程，使多晶硅层部分融化，以产生表面晶格重构，并且同时活化多晶硅层中的源极区以及汲极区，如此，多晶硅层将具有平坦表面。