| 发明名称 | 性能提高的砷化镓异质结双极晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 根据示例实施例，砷化镓异质结双极晶体管包括集电极层和位于集电极层的上面的第一隔离层，所述第一隔离层是高掺杂P+层。例如，第一隔离层可以包括掺杂碳的GaAs。该砷化镓异质结双极晶体管还包括位于第一隔离层的上面的基极层。该基极层可以包括例如一定浓度的铟，所述铟的浓度在基极层中线性渐变。例如，该基极层可以包括InGaAsN。该砷化镓异质结双极晶体管还包括位于基极层的上面的发射极层。所述发射极层可以包括例如InGaP。 | ||
| 申请公布号 | CN1754264A | 申请公布日期 | 2006.03.29 |
| 申请号 | CN200480005197.2 | 申请日期 | 2004.02.10 |
| 申请人 | 斯盖沃克斯瑟路申斯公司 | 发明人 | P·J·赞帕尔迪;K·舒;L·G·拉欣 |
| 分类号 | H01L31/0328(2006.01) | 主分类号 | H01L31/0328(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 1.一种砷化镓异质结双极晶体管，所述晶体管包括：集电极层；位于所述集电极层的上面的第一隔离层，所述第一隔离层是高掺杂P+层；位于所述第一隔离层的上面的基极层；以及位于所述基极层的上面的发射极层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||