| 摘要 |
Ein integrierter Halbleiterspeicher umfasst ein Speicherzellenfeld (10) mit Speicherzellen (SZ) zur Speicherung eines Datums (DQ) mit einem ersten und einem zweiten Datenwert. Ein an einem Datenanschluss (DIO) anliegendes Eingabedatum (DQ) wird in den Speicherzellen des Speicherzellenfeldes mehrfach abgespeichert. Zum Auslesen des Eingabedatums (DQ) werden die mehrfach abgespeicherten Eingabedaten einer Auswerteschaltung (20) zugeführt. Die Auswerteschaltung erzeugt ausgangsseitig (A20a) ein Ausgangsdatum (Dout) mit dem Datenwert, der in den Speicherzellen, die zur Mehrfachspeicherung des Eingabedatums (DQ) verwendet wurden, häufiger abgespeichert worden ist als andere Datenwerte. Der integrierte Halbleiterspeicher ermöglicht somit die Reduzierung von Übertragungsfehlern beim Einlesen von Daten in das Speicherzellenfeld beziehungsweise beim Auslesen von Daten aus dem Speicherzellenfeld.
|
