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发明名称 MEMORY TEST METHOD, HUB OF MEMORY MODULE AND FULLY BUFFERED DUAL IN-LINE MEMORY MODULE HAVING THE HUB
摘要
申请公布号 KR100565889(B1) 申请公布日期 2006.03.23
申请号 KR20040088702 申请日期 2004.11.03
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, KEE HOON;SHIN, SEUNG MAN
分类号 G06F11/22;G06F12/00 主分类号 G06F11/22
代理机构 代理人
主权项
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