发明名称 比较电路和红外信号接收装置
摘要 本发明的目的是即使在电源电压较低时也能够通过适当地操作限幅电路很容易地控制输出的脉冲宽度。一限幅电路(13)设置在滞后比较电路(12)的输入侧以防止饱和。限制电压Vlimit用偏置电路(17)设定以能够根据滞后比较电路(12)的工作而变化。输入电压Vsig超过滞后阀值电压Vth时,限制电压Vlimit响应于滞后阀值电压Vth的降低而下降。因此,在保持限制电压Vlimit高于滞后阀值电压Vth的条件下能够控制脉冲宽度的宽度。
申请公布号 CN1246966C 申请公布日期 2006.03.22
申请号 CN02151826.2 申请日期 2002.11.14
申请人 夏普公司 发明人 井上高广;横川成一;西野毅
分类号 H03K19/20(2006.01);H03K19/21(2006.01);G08C13/00(2006.01);G08C23/04(2006.01) 主分类号 H03K19/20(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 郑立柱;张志醒
主权项 1.一种比较电路(11,41),包括:限幅电路(13,43),用于限制输入电压(Vsig),该限幅电路包含一个含有PNP型晶体管(16)和偏置电路(17,47)的电压设定电路,用于设定限制电压(Vlimit);和滞后比较电路(12),包含具有滞后特性的滞后比较器(18),用于执行输入电压(Vsig)的鉴别,根据鉴别的结果改变输出以能被接通或截止;其中,所述限制电压(Vlimit)作为限制所述输入电压(Vsig)的参考电压耦合到所述滞后比较器(18),并且其中所述限制电压(Vlimit)被定义为由偏置电路提供给限幅电路(13,43)的所述晶体管的基极的偏置电压与该晶体管的基极和发射极之间的电压之和,当输入电压超过限制电压时,晶体管的发射极和集电极之间的部分被导通,从而使所述电压设定电路根据所述滞后比较器电路(12)的工作而改变所设定的限制电压(Vlimit)。
地址 日本大阪市