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发明名称 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HOCHINTEGRIERTEN KOMPLEMENTAEREN MOS-FELDEFFEKTTRANSISTORSCHALTUNGEN
摘要
申请公布号 DE3133841(A1) 申请公布日期 1983.03.17
申请号 DE19813133841 申请日期 1981.08.27
申请人 SIEMENS AG 发明人 SCHWABE,ULRICH,DR.-PHIL.;JACOBS,ERWIN,DIPL.-PHYS.DR.RER.NAT.
分类号 H01L27/08;H01L21/265;H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/72;H01L21/26 主分类号 H01L27/08
代理机构 代理人
主权项
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