| 主权项 |
1.一种液相沉积方法,包括以下步骤: a.添加一溶质于一氢氟矽酸溶液中,使该溶液成为 一饱和氢氟矽酸溶液,其中该溶质系选自氢氧化矽 、二氧化矽或矽酸盐中之一者; b.准备一所欲沉积薄膜之样本,该样本表面上具有 至少一个预先制造完成并且具有独立之电路功能 的半导体元件; c.以一氧化剂进行该样本之表面预先处理,使该样 本之表面上形成OH基,其中该氧化剂系选自氨水、 双氧水或臭氧水中之一者; d.依次以丙酮、甲醇与去离子水进行样本清洗; e.添加一反应剂至该饱和氢氟矽酸溶液中,使该饱 和氢氟矽酸溶液成为一过饱和氢氟矽酸溶液,进而 在该样本表面形成一液相沉积之保护薄膜,其中该 反应剂系选自水、硼酸或添加有二氧化矽之氢氟 酸溶液中之一者; f.根据一pH値量测计所侦测之离子浓度,调整该氢 氟矽酸溶液的浓度;以及 g.以过滤方式除去该氢氟矽酸溶液中的固态微粒, 并以升温与减压两种方式之一,除去该氢氟矽酸溶 液中的SiF4成分,以降低该氢氟矽酸溶液中可反应 的离子浓度。 2.如申请专利范围第1项所述之液相沉积方法,其中 该步骤a.包括: a1.搅拌添加有该溶质之该氢氟矽酸溶液;以及 a2.将搅拌之该饱和氢氟矽酸溶液以过滤器加以过 滤。 3.一种液相沉积设备之清理方法,用以清理该设备 以避免管线阻塞,该方法包括以下步骤: a.将一稳流之过饱和反应系统内的溶液排放至该 回收废液储存槽,并且取下过滤器之滤心,以进行 清理与更新之一者; b.将定量之二氧化矽溶质经由一原物料槽加入至 该饱和反应系统; c.搅拌该溶液一段时间,使得残留于该饱和反应系 统之二氧化矽充分溶解; d.启动一循环帮浦,并且将该溶液输送至该稳流饱 和反应系统; e.静置该溶液于该稳流过饱和反应系统中一段时 间; f.启动该循环帮浦,以冲洗该管线及该设备内部,并 且加装一反向管线使循环反向,以加速附着于该过 滤器上沉积物之溶解; g.重覆步骤e与步骤f数次,即可清除大部份沉积物; h.使用具有冷却至室温下功能之一温度调节器,以 降低温度,并且使得SiO2沉积物溶解;以及 i.排放该溶液至一回收废液储存槽,以进行回收处 理。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该过滤器 系设计为底部朝上,以利沉积物在步骤e至步骤h操 作中,因重力落于管线出口附近,迅速被清洗液冲 走。 图式简单说明: 图1系为本发明之液相沉积设备示意图; 图2系为本发明之低温液相沉积方法的实施步骤; 图3a、3b系为使用本发明之方法所形成之薄膜应用 于砷化镓场效电晶体的示意图; 图4系为本发明进行避免液相沉积设备之管线阻塞 以及设备清理步骤之管路连接图。 |
