| 主权项 |
1.一种记忆体存取之方法,其包括: 接收存取一记忆体位置的请求; 识别包括该记忆体位置的一记忆体区块; 检查与该记忆体区块有关的一局部记忆体描述符; 以及 存取一局部可定址记忆体以回应局部记忆体描述 符,其表示该记忆体区块系在该局部可定址记忆体 内,其中该局部可定址记忆体系为与一分离局部快 取记忆体同阶层之记忆体。 2.如申请专利范围第1项之方法,其系进一步包括存 取该记忆体位置以回应该局部可定址记忆体中存 在的该记忆体位置。 3.如申请专利范围第1项之方法,其系进一步包括产 生一非法存取违规例外以回应该局部可定址记忆 体中不存在的记忆体位置。 4.如申请专利范围第1项之方法,其系进一步包括存 取一局部快取记忆体以回应该局部记忆体描述符, 其表示该记忆体区块不在该局部可定址记忆体内 。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该接收存取一 记忆体的请求包括接收一位址。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中该识别包括该 记忆体位置的一记忆体区块,其包括识别一页面, 其具有包括该位址的一位址空间。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中存取一局部可 定址记忆体包括存取一1阶(L1)SRAM(静态随机存取记 忆体)。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该局部快取记 忆体包括一L1快取记忆体。 9.如申请专利范围第7项之方法,其中该检查一局部 记忆体描述符包括检查与该记忆体区块有关的L1 SRAM位元之状态。 10.如申请专利范围第7项之方法,其中该检查一局 部记忆体描述符包括检查一快取能力保护后备缓 冲器(CPLB)描述符,其包括与该记忆体区块有关的L1 SRAM位元。 11.如申请专利范围第7项之方法,其中该检查一局 部记忆体描述符包括检查一变换后备缓冲器(TLB) 描述符,其包括与该记忆体区块有关的L1 SRAM位元 。 12.一种记忆体存取之方法,其包括: 接收存取一记忆体位置的一请求; 识别包括该记忆体位置的一记忆体区块;以及 将请求发送至一局部可定址记忆体与一局部快取 记忆体的其中之一,以回应与该记忆体区块有关的 一局部记忆体描述符之状态,其中该局部可定址记 忆体系为与一分离局部快取记忆体同阶层之记忆 体。 13.如申请专利范围第12项之方法,其系进一步包括 该局部可定址记忆体。 14.如申请专利范围第12项之方法,其系进一步包括 产生一非法存取违规例外,以回应该局部可定址记 忆体中不存在的该记忆体位置。 15.如申请专利范围第12项之方法,其中存取一局部 可定址记忆体包括存取一1阶(L1)SRAM(静态随机存取 记忆体)。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中该局部快取 记忆体包括一L1快取记忆体。 17.一种记忆体存取之装置,其包括: 一执行单元; 一局部可定址记忆体; 一分离局部快取记忆体,其系为与该局部可定址记 忆体同阶层之记忆体;以及 一局部记忆体控制器,其可操作以识别包括一记忆 体位置的一记忆体区块,以作为从该执行单元收到 存取该记忆体位置之一请求的回应,并将该请求发 送至该局部可定址记忆体与该局部快取记忆体的 其中之一,以回应与该记忆体区块有关的一局部记 忆体描述符之状态。 18.如申请专利范围第17项之装置,其系进一步包括 与复数个记忆体区块有关的复数个局部记忆体描 述符。 19.如申请专利范围第17项之装置,其中该局部可定 址记忆体包括存取一1阶(L1)SRAM(静态随机存取记忆 体)。 20.如申请专利范围第19项之装置,其中该局部快取 记忆体包括一L1快取记忆体。 21.如申请专利范围第19项之装置,其中该局部记忆 体描述符包括一L1 SRAM位元,其表示一相关的记忆 体区块是否位于该局部记忆体内。 22.一种记忆体存取之系统,其包括: 一处理器,其包括 一执行单元, 一局部可定址记忆体, 一分离局部快取记忆体,其系为与该局部可定址记 忆体同阶层之记忆体,以及 一局部记忆体控制器,其可操作以识别包括一记忆 体位置的一记忆体区块,以回应从该执行单元收到 存取该记忆体位置之一请求,并将该请求发送至该 局部可定址记忆体与该局部快取记忆体的其中之 一,以回应与该记忆体区块有关的一局部记忆体描 述符之状态;以及 一USB(通用串列滙流排)介面;以及 与该处理器及该USB介面耦合的一系统滙流排。 23.如申请专利范围第22项之系统,其中该局部可定 址记忆体包括一1阶(L1)SRAM(静态随机存取记忆体) 。 24.如申请专利范围第23项之系统,其中该局部快取 记忆体包括一L1快取记忆体。 25.一种包括机器可执行指令之电脑可读取媒体,该 等指令可操作以使一机器: 接收存取一记忆体位置的一请求; 识别包括该记忆体位置的一记忆体区块; 检查与该记忆体区块有关的一局部记忆体描述符; 以及 存取一局部可定址记忆体,以回应该局部记忆体描 述符,其表示该记忆体区块系在该局部可定址记忆 体内,其中该局部可定址记忆体系为与一分离局部 快取记忆体同阶层之记忆体。 26.如申请专利范围第25项之媒体,其系进一步包括 可操作以使该机器存取该记忆体位置以回应该局 部可定址记忆体内存在的该记忆体位置之指令。 27.如申请专利范围第25项之媒体,其系进一步包括 可操作以使该机器产生一非法存取违规例外以回 应该局部可定址记忆体内不存在的该记忆体位置 之指令。 28.如申请专利范围第25项之媒体,其系进一步包括 操作以使该机器存取一局部快取记忆体以回应该 局部记忆体描述符之指令,其表示该记忆体区块不 在该局部可定址记忆体内。 29.一种包括机器可执行指令之电脑可读取媒体,该 等指令可操作以使一机器: 接收存取一记忆体位置的一请求; 识别包括该记忆体位置的一记忆体区块;以及 将该请求发送至一局部可定址记忆体与一局部快 取记忆体的其中之一,以回应与该记忆体区块有关 的一局部记忆体描述符之状态,其中该局部可定址 记忆体系为与一分离局部快取记忆体同阶层之记 忆体。 30.如申请专利范围第29项之媒体,其系进一步包括 指令,该等指令可操作以使该机器: 存取该局部可定址记忆体;以及 产生一非法存取违规例外,以回应不在该局部可定 址记忆体内的该记忆体位置。 31.如申请专利范围第29项之媒体,其中该等可操作 以使该机器存取一局部可定址记忆体的指令包括 可操作以使该机器存取一1阶(L1)SRAM(静态随机存取 记忆体)的指令。 32.如申请专利范围第31项之方法,其中该局部快取 记忆体包括一L1快取记忆体。 33.一种记忆体存取之方法,包括: 存取一局部记忆体,其可组态为静态随机存取记忆 体(SRAM)及一快取记忆体之一,其中该局部记忆体系 为与一分离局部快取记忆体同阶层之记忆体; 组态该局部记忆体为SRAM;以及 延伸一局部记忆体位址空间至该局部记忆体。 34.如申请专利范围第33项之方法,其中该局部记忆 体包括一1阶(L1)记忆体。 35.如申请专利范围第33项之方法,其中该延伸该局 部记忆体位址空间尚包括于一记忆体描述符中设 定一位元。 36.一种储存机器可执行指令之电脑可读取媒体,该 等指令可操作以使一机器: 存取一局部记忆体,其可组态为静态随机存取记忆 体(SRAM)及一快取记忆体之一,其中该局部记忆体系 为与一分离局部快取记忆体同阶层之记忆体; 组态该局部记忆体为SRAM;以及 延伸一局部记忆体位址空间至该局部记忆体。 37.如申请专利范围第36项之媒体,其中该局部记忆 体包括一1阶(L1)记忆体。 38.如申请专利范围第36项之媒体,其中该等可操作 以使该机器延伸该局部记忆体位址空间之指令包 括可操作以使该机器于一记忆体描述符中设定一 位元之指令。 39.一种记忆体存取之方法,其包括: 接收存取一记忆体位置的请求; 识别包括该记忆体位置的一记忆体区块; 检查与该记忆体区块有关的一局部记忆体描述符; 存取一局部可定址记忆体以回应局部记忆体描述 符,其表示该记忆体区块系在该局部可定址记忆体 内;及 存取一分离局部快取记忆体以回应局部记忆体描 述符,其表示该记忆体区块系不在该局部可定址记 忆体内,其中该局部可定址记忆体系为与一分离局 部快取记忆体同阶层之记忆体。 40.如申请专利范围第39项之方法,其中该同阶层记 忆体系1阶(L1)记忆体。 图式简单说明: 图1为根据一项具体实施例之处理器的方块图。 图2A至2C之流程图系说明根据一项具体实施例之记 忆体存取操作。 图3为一系统的方块图,该系统包括根据一项具体 实施例之处理器。 |
