发明名称 发光二极体结构改良
摘要 本创作系有关于一种发光二极体结构改良,其系于单向高穿透镜片的高反射面上具设萤光材料,以当光源以高穿透方式激发萤光材料,并利用单向高穿透镜片之高反射面将散射之光线再予以反射出去;据此,即可令该发光二极体提高其发光效率与使用寿命。
申请公布号 TWM288974 申请公布日期 2006.03.21
申请号 TW094215708 申请日期 2005.09.13
申请人 宏杰科技股份有限公司;陈一义 CHEN, YI YI 台南市中西区永和街67号 发明人 陈一义;林俊良;黄仁风
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈金铃 台南市安平区建平五街122号
主权项 1.一种发光二极体结构改良,系包括: 一单向高穿透镜片,其具有相对应之高反射面及高 透光面; 一光源,系设置于单向高穿透镜片高穿透面的一侧 ;以及 萤光材料,其被涂抹或沈积在单向高穿透镜片之高 反射面的该侧; 当光源所产生之入射光经高穿透面、高反射面,入 射到萤光材料,并激发萤光材料产生四面八方的散 射现象时,其往光源方向散射之光线,将会被单向 高穿透镜片之高反射面所反射。 2.一种发光二极体结构改良,其包括: 一单向高穿透镜片,其具有相对应之高反射面及高 透光面; 一光源,系设置于单向高穿透镜片之高穿透面的一 侧; 一镜片,设于单向高穿透镜片的前侧;以及 萤光材料,其被涂抹或沈积在镜片二侧之任一侧; 据此,光源所产生之入射光经单向高穿透镜片后, 将穿透至镜片并激发萤光材料,且产生四面八方的 散射光线,其中往光源方向散射的光线,将被单向 高穿透之镜片的高反射面反射。 3.一种发光二极体结构改良,其包括: 一单向高穿透镜片,其具有相对应之高反射面及高 透光面; 一光源,系设置于单向高穿透镜片高穿透面的一侧 ; 二镜片,设于单向高穿透镜片的前侧;以及 萤光材料,其被包夹在二镜片之间; 据此,光源所产生之入射光经单向高穿透镜片后, 将穿透至镜片并激发被二镜片包夹之萤.光材料, 以产生四面八方的散射光线,并由另一镜片穿透投 射而出,其中往光源方向的散射光线,将被单向高 穿透之镜片的高反射面反射。 4.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光 二极体结构改良,其中,单向高穿透镜片之材质为 塑胶材质。 5.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光 二极体结构改良,其中,单向高穿透镜片之材质为 玻璃材质。 6.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光 二极体结构改良,其中,单向高穿透镜片之材质为 透明材质。 7.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光 二极体结构改良,其中,单向高穿透镜片之材质为 半透明之材质。 8.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光 二极体结构改良,其中,单向高穿透镜片之高透光 面与高反射面之光穿透率比値大于50%。 9.如申请专利范围第1项、第2项或第3项所述发光 二极体结构改良,其中,单向高穿透镜片之高反射 面主要系在表面涂布一层高反射膜而成。 10.如申请专利范围第9项所述发光二极体结构改良 ,其中,该高反射膜系采用氧化钛及氧化矽的复合 材料。 11.如申请专利范围第10项所述发光二极体结构改 良,其中,高反射膜的厚度在100奈米之内。 图式简单说明: 第一图:本创作之其一较佳实施例示意图 第二图:本创作之其一较佳实施例的局部放大图 第三图:本创作之其二较佳实施例示意图 第四图:本创作之其三较佳实施例示意图 第五图:本创作之其四较佳实施例示意图
地址 台南市中西区永和街82号