摘要 |
<P>Cette cellule de mémoire protégée contre des pics de courant ou de tension comprend un ensemble de noeuds (N1, N2, N3,N4) de stockage de données redondants pour le stockage d'une information dans au moins une paire de noeuds complémentaires et des moyens (MP1,...MP4,MN1,..., MN4) pour restaurer une information dans son état initial après un pic de courant ou de tension modifiant l'information dans l'un des noeuds de ladite paire, à partir de l'information stockée dans l'autre noeud.Les noeuds (N1, N2, N3,N4) de chaque paire sont implantés à l'opposé l'un de l'autre dans une zone d'un substrat délimitant la cellule de mémoire.</P>
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