发明名称 CELLULE MEMOIRE SRAM PROTEGEE CONTRE DES PICS DE COURANT OU DE TENSION
摘要 <P>Cette cellule de mémoire protégée contre des pics de courant ou de tension comprend un ensemble de noeuds (N1, N2, N3,N4) de stockage de données redondants pour le stockage d'une information dans au moins une paire de noeuds complémentaires et des moyens (MP1,...MP4,MN1,..., MN4) pour restaurer une information dans son état initial après un pic de courant ou de tension modifiant l'information dans l'un des noeuds de ladite paire, à partir de l'information stockée dans l'autre noeud.Les noeuds (N1, N2, N3,N4) de chaque paire sont implantés à l'opposé l'un de l'autre dans une zone d'un substrat délimitant la cellule de mémoire.</P>
申请公布号 FR2875328(A1) 申请公布日期 2006.03.17
申请号 FR20040009781 申请日期 2004.09.15
申请人 STMICROELECTRONICS SA SOCIETE ANONYME 发明人 ROCHE PHILIPPE;JACQUET FRANCOIS
分类号 G11C7/02;G11C5/00;G11C11/412;H01L23/552;H01L23/62;H01L27/11 主分类号 G11C7/02
代理机构 代理人
主权项
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