发明名称 半导体装置之处理液、处理方法及半导体制造装置
摘要 本发明之目的,在于提供一种半导体装置之处理液、处理方法及半导体制造装置,可使从半导体基板的原子溶析少,而且能得到乾净、平坦的半导体表面。本发明之特征在于藉由使用含有醇类或酮类其中至少一种的水溶液,以获得一从半导体表面的溶析少,且乾净、平坦的处理液、处理方法及半导体制造装置。
申请公布号 TW200610047 申请公布日期 2006.03.16
申请号 TW094124057 申请日期 2005.07.15
申请人 国立大学法人 东北大学;史铁勒杰米华股份有限公司 发明人 大见忠弘;寺本章伸;菊山裕久;二井启一;山本雅士
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本