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发明名称
半导体装置之处理液、处理方法及半导体制造装置
摘要
本发明之目的,在于提供一种半导体装置之处理液、处理方法及半导体制造装置,可使从半导体基板的原子溶析少,而且能得到乾净、平坦的半导体表面。本发明之特征在于藉由使用含有醇类或酮类其中至少一种的水溶液,以获得一从半导体表面的溶析少,且乾净、平坦的处理液、处理方法及半导体制造装置。
申请公布号
TW200610047
申请公布日期
2006.03.16
申请号
TW094124057
申请日期
2005.07.15
申请人
国立大学法人 东北大学;史铁勒杰米华股份有限公司
发明人
大见忠弘;寺本章伸;菊山裕久;二井启一;山本雅士
分类号
H01L21/304
主分类号
H01L21/304
代理机构
代理人
周良谋;周良吉
主权项
地址
日本
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