发明名称 |
处理沈积方法元件以形成粒子阱之方法及具粒子阱之沈积方法元件 |
摘要 |
本发明包括用于沿物理气体沈积(PVD)元粒子阱之方法,且包括其上具有粒子阱之P明可包括将高可溶性介质用于喷珠及/或可料用作喷珠介质。本发明亦可包括沿一底板成粒子阱之位置形成一嵌件,且该嵌件系一更佳之粒子阱性质的组合物。 |
申请公布号 |
TW200609366 |
申请公布日期 |
2006.03.16 |
申请号 |
TW093127681 |
申请日期 |
2004.09.13 |
申请人 |
哈尼威尔国际公司 |
发明人 |
金在衍;泰瑞J 非兰恩;史考特R 赛林斯;詹尼K 卡杜库斯 |
分类号 |
C23C14/22 |
主分类号 |
C23C14/22 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 |