发明名称 处理沈积方法元件以形成粒子阱之方法及具粒子阱之沈积方法元件
摘要 本发明包括用于沿物理气体沈积(PVD)元粒子阱之方法,且包括其上具有粒子阱之P明可包括将高可溶性介质用于喷珠及/或可料用作喷珠介质。本发明亦可包括沿一底板成粒子阱之位置形成一嵌件,且该嵌件系一更佳之粒子阱性质的组合物。
申请公布号 TW200609366 申请公布日期 2006.03.16
申请号 TW093127681 申请日期 2004.09.13
申请人 哈尼威尔国际公司 发明人 金在衍;泰瑞J 非兰恩;史考特R 赛林斯;詹尼K 卡杜库斯
分类号 C23C14/22 主分类号 C23C14/22
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国