| 摘要 |
本发明提供一种以植氧分离(SIMOX)的方法，藉以形成具有不同晶向之平面混合晶向的绝缘层上半导体(SOI)基板，如此可将装置制作于可提供最佳性能的晶向基板上。此方法包含选择一基板，其包含具有第一结晶方向之基部半导体层，藉由一薄绝缘层分隔基部半导体层与具有第二结晶方向之顶部半导体层；以具有第一结晶方向的磊晶成长半导体取代选择区域中的顶部半导体层；之后利用离子植入与回火以(i)形成埋式绝缘层于磊晶成长半导体材料中，以及(ii)增厚顶部半导体层下方的绝缘层，藉以形成混合晶向基板，其中具有相异晶向的两半导体材料具有实质相同的厚度，并且均位于共同的埋式绝缘层上。在本方法一变化中，离子植入与回火方法可替代地使用，以向上延伸附属埋式绝缘层(初始系位于基部半导体层下)，(i)至磊晶成长半导体材料中，且(ii)至少到达顶部半导体层下方之绝缘层。 |
