发明名称 氮化镓场效电晶体之感测器
摘要 本发明系一种氮化镓场效电晶体之感测器,系利用成长于矽基版的氮化镓场效电晶体元件,透过利用微影制程或电浆蚀刻法,蚀刻掉氮化镓场效电晶体元件背面的矽基版后形成薄膜式的氮化镓场效电晶体元件,该薄膜式氮化镓场效电晶体可作为压力感测器,可利用氮化镓之压电效应特性提供极高的灵敏度,具有放大讯号之功能及最大的环境变异忍受能力,并且该压力感测器可与IC积体化电路、矽半导体的微机电系统整合。
申请公布号 TW200610149 申请公布日期 2006.03.16
申请号 TW093127354 申请日期 2004.09.10
申请人 国立中央大学 发明人 王文凯;许晋玮;詹益仁
分类号 H01L29/778 主分类号 H01L29/778
代理机构 代理人 欧奉璋
主权项
地址 桃园县中坜市中大路300号