| 摘要 |
本案系为一种斜面制造方法，应用于一半导体制程上，其制造方法包含下列步骤：提供一钻石晶体结构之半导体基板，该半导体基板具有一表面，该表面为｛100｝或｛110｝等价晶格平面；于该半导体基板之表面上方形成一蚀刻罩幕，该蚀刻罩幕上具有一蚀刻窗口，该蚀刻窗口具有沿一第一方向延伸之一侧壁，而该第一方向与该半导体基板之＜100＞或＜110＞等价晶格方向间具有一偏移角度，该偏移角度之范围大于等于0度且小于45度或小于等于90度但大于45度；以及运用该蚀刻罩幕及该蚀刻窗口对该基板进行一选择性非均向蚀刻，进而沿该第一方向而于该基板表面上蚀刻出表面为｛110｝或｛100｝等价晶格平面之一斜面。 |
