固态影像感测装置及其制造方法

摘要

于固态影像感测装置中，在相同的处理中形成第一N型半导体区与PMOS区之中的一N井，藉以使第一N型半导体区与PMOS区之中的N井具有实质相同的N型杂质浓度－深度分布图。藉由在相同的处理中形成第一N型半导体区与一N井，故能够减少固态影像感测装置所需之制造处理的数量。因此，可以在N型杂质的离子植入与扩散期间抑制对固态影像感测装置施加过多的热历程。因此，藉由抑制由对固态影像感测装置施加过多的热历程所引起之过多的杂质扩散等等，故能够提高固态影像感测装置的良率。