| 摘要 |
本发明的课题在于解决知技术中，由于通道层系以杂质的离子植入及扩散而形成，而且，在形成通道层之后进行闸极氧化膜的形成等高温热处理制程，因此，杂质浓度分布变得较深，此外，亦由于硼的空乏而使杂质浓度分布产生参差不齐之问题。本发明系在形成沟渠及闸极氧化膜及闸极电极之后，藉由加速电压不同之高速加速离子植入，而形成通道层。通道层为未藉由热处理而进行扩散之杂质植入层，而是以高速加速离子植入机进行复数次的离子植入，藉此可使沟渠深度方向上的杂质浓度几乎达到均等。由于可减少几乎不会影响特性之第2区域，因此可获得所需最低限度的深度之通道层。藉此，可使沟渠变浅而达到低电容化，此外，可薄化磊晶层并藉此实现低导通电阻化。 |
