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发明名称
光阻保护膜形成用材料、及使用其之光阻图型形成方法
摘要
本发明系关于液浸曝光制程中,可同时防止使用水为主的各种浸渍液之渍液曝光中的光阻膜变质及所使用的浸渍液变质,且不会增加处理步骤数下可提高光阻膜的拉伸耐性,使用液浸曝光的高解像性光阻图型之形成成为可能。又,本发明系关于使用至少由可溶于硷的聚合物、交联剂、以及可溶解这些之溶剂作为构成成分之组成物,于所使用的光阻膜表面上形成保护膜。
申请公布号
TW200609683
申请公布日期
2006.03.16
申请号
TW094126083
申请日期
2005.07.29
申请人
东京应化工业股份有限公司
发明人
石塚启太;远藤浩太朗;平野智之
分类号
G03F7/11
主分类号
G03F7/11
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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