发明名称 | 具有在端部区域处于稳定磁状态的磁写入线的MRAM单元 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于提供和使用磁存储器的方法和系统。磁存储器包括多个磁存储器单元、多条磁写入线和多个磁偏置结构。所述多条磁写入线具有多个端部区域。所述多个磁偏置结构连接到所述多条磁写入线的多个端部区域。 | ||
申请公布号 | CN1748317A | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
申请号 | CN200480003687.9 | 申请日期 | 2004.02.03 |
申请人 | 磁旋科技公司 | 发明人 | D·曾 |
分类号 | H01L29/76(2006.01) | 主分类号 | H01L29/76(2006.01) |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
主权项 | 1.一种磁存储器,包括:多个磁存储器单元;与所述多个磁存储器单元相连的多条磁写入线,所述多条磁写入线具有多个端部区域;和连接到所述多个端部区域的多个磁偏置结构。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |