发明名称 | 形成半导体栅极的方法 | ||
摘要 | 一种形成半导体栅极的方法,于基底上先形成包含一导体层与一顶盖层的堆栈结构。然后,于基底上形成一高密度等离子体介电层并暴露出顶盖层,其中高密度等离子体介电层顶部高于导体层顶部。随后,将顶盖层去除,由于高密度等离子体介电层顶部高于导体层顶部,所以去除顶盖层后会在导体层上形成一个凹陷处。接着,于凹陷处侧壁形成氧化间隙壁,再于基底上沉积另一层覆盖凹陷处的导体层,使其与之前已形成的导体层连结成为半导体器件的栅极。 | ||
申请公布号 | CN1245739C | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
申请号 | CN02132233.3 | 申请日期 | 2002.09.03 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 邱宏裕;陈铭祥;曾铕寪 |
分类号 | H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1、一种形成半导体栅极的方法,其特征在于:包括:于一基底上形成包含一第一导体层与一顶盖层的堆栈结构;于该基底上形成一高密度等离子体介电层,暴露出该顶盖层,其中该高密度等离子体介电层的顶部高于该第一导体层的顶部;去除该顶盖层,以于该第一导体层上形成一凹陷处;于该凹陷处侧壁形成一氧化间隙壁;于该基底上沉积一第二导体层,覆盖该凹陷处,使该第二导体层与该第一导体层相连结。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |