| 发明名称 | CMOS元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种CMOS元件，其结构包括将压缩或拉伸应力材料层设于PMOS晶体管表面，并将拉伸应力材料层设于NMOS晶体管表面。本发明并提供上述的CMOS元件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1245760C | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN02150207.2 | 申请日期 | 2002.11.04 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄健朝;王昭雄;葛崇祜;胡正明 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘培坤;陈红 |
| 主权项 | 1.一种CMOS元件，其特征在于，它包括：一基底；一PMOS晶体管和一NMOS晶体管，设于该基底上；以及一拉伸应力材料层，至少设于该NMOS晶体管的源极和漏极上，其中该拉伸应力材料层是择自分子式为SiNx且x＝1.0-1.3的富含氮的氮化硅、分子式为SiNx且x＝0.6-1.0的富含硅的氮化硅、与氮氧化硅，且该NMOS晶体管和PMOS晶体管的操作电压介于0.5伏特至1.2伏特之间。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹 | ||