发明名称 半导体器件
摘要 本发明提供了一种半导体器件。第一布线层中的第一布线部分是被连接到地电势的起始端。第一布线部分和第二布线层中的第二布线部分通过第一连接部分连接。第二布线部分和第三布线层中的第三布线部分通过第二连接部分连接。与第三布线部分连续地连接的第四布线部分和第二布线层中的第五布线部分通过第三连接部分连接。第五布线部分和第一布线层中的第六布线部分通过第四连接部分连接。通过连接这样形成的山形传导路径,形成从起始端连续地连接到输出端的传导路径。
申请公布号 CN1747166A 申请公布日期 2006.03.15
申请号 CN200510051055.6 申请日期 2005.02.25
申请人 富士通株式会社 发明人 吉田哲也;小池良彦
分类号 H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/30(2006.01) 主分类号 H01L23/52(2006.01)
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 赵淑萍
主权项 1.一种半导体器件,包括:被分别布置在多个布线层中的布线单元;由被布置在所述布线层中的一个中的所述布线单元形成的起始端;和将不同布线层中的所述布线单元电连接的连接单元,其中所述起始端被连接到第一电势电平,通过改变掩模图案,是否形成所述连接单元是可选择的,通过改变所述掩模图案,是否形成所述布线单元是可选择的,所述布线单元可连接到所述第一电势电平和第二电势电平的任一个上,并形成传导路径,所述传导路径经由所述连接单元,从所述起始端和任意布线单元中的任一个连续地连接到输出端,所述传导路径由第一路径和第二路径的组合形成,所述第一路径从所述起始端朝向所述输出端,从较下方的布线层向较上方的布线层延伸,所述第二路径从所述起始端朝向所述输出端,从所述较上方的布线层向所述较下方的布线层延伸,以及所述输出端为所述第一电势电平和所述第二电势电平中的任一个。
地址 日本神奈川县