改善栅极多晶硅层电阻值的方法

摘要

本发明提供一种改善栅极多晶硅层电阻值的方法，它利用硅、锗或氟的离子对栅极结构的栅极非晶硅层进行离子注入，并且在对半导体衬底进行退火工艺来缓和轻掺杂所造成的半导体衬底损伤时，同时使栅极非晶硅层成长形成较大的硅晶粒结构，从而有效地减少栅极多晶硅层在电子传递时，电子受到晶界阻碍的机率，进而降低栅极多晶硅层电阻值较高的缺点。

主权项

1.一种改善栅极多晶硅层电阻值的方法，它包括下列步骤：提供一个已形成有隔离结构的半导体衬底；在该半导体衬底上依序形成一个栅极氧化层、一个栅极非晶硅层以及一个金属硅化物层；在该半导体衬底上形成一个图案化光刻胶层；以该图案化光刻胶层为掩膜对该栅极氧化层、该栅极多晶硅层与该金属硅化物层进行刻蚀；以选自硅、锗、氟的离子对该栅极非晶硅层进行离子注入；以该栅极结构为掩膜，对该半导体衬底进行源极、漏极轻掺杂工艺；对该半导体衬底进行退火，以使栅极非晶硅层的非晶硅结构形成多晶硅结构；以及在该栅极结构两侧壁各形成一个间隙壁。