| 主权项 |
1.一种层积陶瓷电容,系具有内部电极层,以及厚度 3.5m以下之介电体层的层积陶瓷电容,其特征为 上述介电体层系由,与上述内部电极层相接之接触 介电体粒子,及不与上述内部电极层相接之非接触 介电体粒子构成, 含于上述介电体层之多数介电体粒子全体之平均 粒径为D50,上述接触介电体粒子之粒度分布之标准 差为时,满足D50≦0.25m且≦0.14。 2.如申请专利范围第1项所述的层积陶瓷电容,其中 上述接触介电体粒子之平均粒径为D50a时,平均粒 径为该D50a之2.25倍以上的接触介电体粒子(粗粒)在 含于上述介电体层的接触介电体粒子中之存在比 率为p时,满足p≦8.00%。 图式简单说明: 第1图系本发明之一实施形态有关的层积陶瓷电容 之概略剖视图。 第2图系第1图之介电体层的重要部份放大剖视图 。 第3图系实施例中去黏结剂处理、烧及退火之各 温度变化图。 第4图系实施例之试样1的热蚀后之烧结体截面状 态的SEM图像。 第5图系比较例之试样8的热蚀后之烧结体截面状 态的SEM图像。 第6图系实施例之试样1中构成层间介电体层的介 电体粒子之粒径与频度之关系图。 |
