| 主权项 |
1.一种喷墨印头晶片,包括: 一基底; 多数个电晶体,位于该基底上,其中各该电晶体包 括: 一闸极,位于该基底上; 一源极与一汲极,分别位于该闸极两侧的该基底内 ;以及 一闸氧化层,位于该闸极与该基底之间,其中该闸 氧化层的厚度小于800埃; 多数个隔离结构,位于该基底表面并隔离该些电晶 体; 一介电层,覆盖该些电晶体与该些隔离结构,其中 该介电层具有多数个开口,该些开口暴露出各该电 晶体的该源极与该汲极; 一电阻层,位于该介电层上,其中该电阻层具有多 数个加热区域; 一第一导体部分,位于该电阻层上且暴露出该些加 热区域,以使该些加热区域成为多数个加热元件, 其中各该加热元件的电阻値小于95 ohm以及功率密 度小于2GW/m2;一第二导体部分,位于该介电层上并 经由该些开口电性连接至该汲极,且该第二导体部 分与该第一导体部分电性连接;以及 一第三导体部分,位于该介电层上并经由该些开口 电性连接至该源极。 2.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其中 该闸氧化层的厚度是约50埃~250埃。 3.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其中 各该加热元件的电阻値约在28ohm~32 ohm之间。 4.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,更包 括: 一钝化层,覆盖该电阻层与该导体层;以及 一穴层,位于该些加热区域上方的该钝化层上。 5.如申请专利范围第4项所述之喷墨印头晶片,其中 该钝化层包括SiN层、Sic层或SiN与Sic的叠层。 6.如申请专利范围第4项所述之喷墨印头晶片,其中 该穴层的材质包括Ta、W或Mo。 7.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其中 该第一导体部分和该第二导体部分属于同一导体 层,而该第三导体部分是另一导体层。 8.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其中 该第二导体部分和该第三导体部分属于同一导体 层,而该第一导体部分是另一导体层。 9.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其中 该第一导体部分和该第三导体部分属于同一导体 层,而该第二导体部分是另一导体层。 10.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其 中该第一导体部分、该第二导体部分和该第三导 体部分是互不相同的导体层。 11.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其 中该第一导体部分、该第二导体部分和该第三导 体部分是同一层导体层所定义出来的三个部分。 12.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其 中该电阻层更包括延伸至该导体层的该第二部分 与该介电层的各该开口表面之间。 13.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其 中该电阻层更包括位于该导体层的该第三部分与 该介电层的各该开口表面之间。 14.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其 中各该加热元件的长宽比在0.8~3.0之间。 15.如申请专利范围第13项所述之喷墨印头晶片,其 中各该加热元件的尺寸是长度在20um~70um以及宽度 在20um~70um。 16.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其 中该导体层的材质包括AlCu或Au。 17.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其 中该电阻层的材质包括TaAl、TaN或掺杂多晶矽。 18.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其 中该些隔离结构包括场氧化层。 19.如申请专利范围第1项所述之喷墨印头晶片,其 中该些加热元件的数量是至少50个。 20.一种喷墨印头晶片,包括: 一基底; 多数个电晶体,位于该基底上,其中各该电晶体包 括: 一闸极,位于该基底上; 一源极与一汲极,分别位于该闸极两侧的该基底内 ;以及 一闸氧化层,位于该闸极与该基底之间,其中该闸 氧化层的厚度小于800埃; 多数个隔离结构,位于该基底表面并隔离该些电晶 体; 一三明治结构介电层,是由两层阻挡层以及位于该 些阻挡层之间的一平坦层所构成,而覆盖该些电晶 体与该些隔离结构,其中该三明治结构介电层具有 多数个开口,该些开口暴露出各该电晶体的该源极 与该汲极; 一电阻层,位于该三明治结构介电层上,其中该电 阻层具有多数个加热区域; 一第一导体部分,位于该电阻层上且暴露出该些加 热区域,以使该些加热区域成为多数个加热元件; 一第二导体部分,位于该三明治结构介电层上并经 由该些开口电性连接至该汲极,且该第二导体部分 与该第一导体部分电性连接;以及 一第三导体部分,位于该三明治结构介电层上并经 由该些开口电性连接至该源极。 21.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该闸氧化层的厚度小于250埃。 22.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该三明治结构介电层的该平坦层的材质包括磷 矽玻璃或硼磷矽玻璃。 23.如申请专利范围第22项所述之喷墨印头晶片,其 中该平坦层的厚度为0.09um-1.4um。 24.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该三明治结构介电层的该些阻挡层的材质包括 电浆增强式氧化层或低压成形氧化层以及该平坦 层的材质包括磷矽玻璃或硼磷矽玻璃。 25.如申请专利范围第24项所述之喷墨印头晶片,其 中各该阻挡层的厚度为0.09um-0.33um,而该平坦层的 厚度为0.09um-1.4um。 26.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,更 包括: 一钝化层,覆盖该电阻层与该导体层;以及 一穴层,位于该些加热区域上方的该钝化层上。 27.如申请专利范围第26项所述之喷墨印头晶片,其 中该钝化层包括SiN层、Sic层或SiN与Sic的叠层。 28.如申请专利范围第26项所述之喷墨印头晶片,其 中该穴层的材质包括Ta、W或Mo。 29.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该第一导体部分和该第二导体部分属于同一导 体层,而该第三导体部分是另一导体层。 30.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该第二导体部分和该第三导体部分属于同一导 体层,而该第一导体部分是另一导体层。 31.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该第一导体部分和该第三导体部分属于同一导 体层,而该第二导体部分是另一导体层。 32.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该第一导体部分、该第二导体部分和该第三导 体部分是互不相同的导体层。 33.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该第一导体部分、该第二导体部分和该第三导 体部分是同一层导体层所定义出来的三个部分。 34.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该电阻层更包括延伸至该导体层的该第二部分 与该三明治结构介电层的各该开口表面之间。 35.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该电阻层更包括位于该导体层的该第三部分与 该三明治结构介电层的各该开口表面之间。 36.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中各该加热元件的长宽比在0.8~3.0之间。 37.如申请专利范围第36项所述之喷墨印头晶片,其 中各该加热元件的尺寸是长度在20um~70um以及宽度 在20um~70um。 38.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该导体层的材质包括AlCu或Au。 39.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该电阻层的材质包括TaAl、TaN或掺杂多晶矽。 40.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该些隔离结构包括场氧化层。 41.如申请专利范围第20项所述之喷墨印头晶片,其 中该些加热元件的数量是至少50个。 42.一种喷墨印头晶片,包括: 一基底; 多数个电晶体电路,位于该基底上,各该电晶体电 路包含一闸氧化层,该闸氧化层的厚度小于800埃; 多数个薄膜层,形成于该些电晶体电路上,该些薄 膜层包含有一电阻层,该电阻层形成多数个加热元 件,该些加热元件与其对应的该些电晶体电路电连 接,可藉由提供电流至每一加热元件,于该加热元 件上产生小于2GW/m2的功率密度,其中各该加热元件 的电阻値小于约95 ohm。 43.如申请专利范围第42项所述之喷墨印头晶片,其 中该些薄膜层包含有一三明治结构介电层,该三明 治结构介电层由两层阻挡层以及位于该些阻挡层 之间的一平坦层所构成。 44.如申请专利范围第43项所述之喷墨印头晶片,其 中该三明治结构介电层的该平坦层的材质包括磷 矽玻璃或硼磷矽玻璃。 45.如申请专利范围第44项所述之喷墨印头晶片,其 中该平坦层的厚度为0.09um-1.4um。 46.如申请专利范围第43项所述之喷墨印头晶片,其 中该三明治结构介电层的该些阻挡层的材质包括 电浆增强式氧化层或低压成形氧化层以及该平坦 层的材质包括磷矽玻璃或硼磷矽玻璃。 47.如申请专利范围第46项所述之喷墨印头晶片,其 中各该阻挡层的厚度为0.09um-0.33um,而该平坦层的 厚度为0.09um-1.4um。 图式简单说明: 图1是习知一种喷墨印头之平面俯视图。 图2是依照本发明之第一实施例之喷墨印头晶片的 剖面示意图。 图3是依照本发明之第二实施例之喷墨印头晶片的 剖面示意图。 图4是图3的第IV部位之放大示意图。 图5是依照本发明之第三实施例之喷墨印头晶片的 剖面示意图。 |
