| 主权项 |
1.一种电阻膏,其特征为:具有实质上不含铅而含NiO 之玻璃材料,实质上不含铅之导电性材料,以及有 机载质。 2.一种电阻膏,其特征为:具有实质上不含铅而含0.1 至10莫耳%之NiO的玻璃材料,实质上不含铅之导电性 材料,以及有机载质。 3.如申请专利范围第1项或第2项之电阻膏,其中上 述玻璃材料之含量系65至93体积%,上述导电性材料 之含量系7至35体积%。 4.如申请专利范围第1项或第2项之电阻膏,其中上 述玻璃材料之含量系49至88重量%,上述导电性材料 之含量系10至51重量%。 5.如申请专利范围第1项或第2项之电阻膏,其中上 述玻璃材料具有, 含选自CaO、SrO、BaO及MgO之至少一种的A群, 含B2O3之B群, 含SiO2之C群, 含ZrO2及Al2O3之至少任一的D群,以及 含NiO之E群。 6.如申请专利范围第5项之电阻膏,其中上述各群之 含量系, A群:20至40莫耳%, B群:18至45莫耳%, C群:21至40莫耳%, D群:10莫耳%以下(但0莫耳%除外), E群:0.1至10莫耳%。 7.如申请专利范围第1项或第2项之电阻膏,其中上 述玻璃材料具有, 含选自CaO、SrO、BaO及MgO之至少一种的A群, 含B2O3之B群, 含SiO2之C群,以及 含NiO之E群。 8.如申请专利范围第7项之电阻膏,其中上述各群之 含量系, A群:20至40莫耳%, B群:18至45莫耳%, C群:21至40莫耳%, E群:0.1至10莫耳%。 9.如申请专利范围第1项或第2项之电阻膏,其中有 CuO作为添加物,该CuO之含量系0.1至2体积%。 10.如申请专利范围第1项或第2项之电阻膏,其中有 CuO作为添加物,该CuO之含量系0.1至6重量%。 11.如申请专利范围第1项或第2项之电阻膏,其中有 作为添加物之具钙钛矿型结晶构造之氧化物,该氧 化物之含量系0.1至12体积%。 12.如申请专利范围第1项或第2项之电阻膏,其中有 作为添加物之具钙钛矿型结晶构造之氧化物,该氧 化物之含量系0.1至20重量%。 13.如申请专利范围第11项之电阻膏,其中上述具钙 钛矿型结晶构造之氧化物系CaTiO3。 14.一种电阻体,其特征为:具有实质上不含铅而含 NiO之玻璃材料,及实质上不含铅之导电性材料。 15.一种电子元件,系具有电阻体之电子元件,其特 征为:上述电阻体具有实质上不含铅而含NiO之玻璃 材料,以及实质上不含铅之导电性材料。 |
