发明名称 温度补偿型积层陶瓷电容器及其介电材料组成物
摘要 一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物,特别适合供制造电容温度系数为0±03ppm/℃范围的积层陶瓷电容器用。烧结温度在1000℃以下,可与90%Ag/10%Pd内电极相匹配,制成积层陶瓷电容器。本发明系由100重量份之第一成份13.0mole%≦BaO≦20.5mole%,1.0mole%≦Bi2O3≦8.5mole%,8.0mole%≦Nd2O3≦16.0mole%,63.0mole%≦TiO2≦71.0mole%与2~16重量份由BaO, Bi2O3,SiO2,ZnO,B2O3所组成的第二成份的玻璃加以配合组成,其中玻璃的组成为5%≦BaO≦30%,20%≦Bi2O3≦70%,0%≦SiO2≦30%,10%≦Zn0≦40%,10%≦B2O3≦60%。
申请公布号 TWI251245 申请公布日期 2006.03.11
申请号 TW094111730 申请日期 2005.04.13
申请人 信昌电子陶瓷股份有限公司 发明人 林建基;纪庆霖
分类号 H01G4/12;H01G4/30 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 陈惠蓉 台北市大安区复兴南路2段268号4楼之3
主权项 1.一种温度补偿型积层陶瓷电容器介电材料组成 物,其组成成份由100重量份之第一成份13.0mole%≦BaO ≦20.5mole%,1.0mole%≦Bi2O3≦8.5mole%,8.0mole%≦Nd2O3≦15.0 mole%,63.0mole%≦TiO2≦71.0mole%与2-16重量份之玻璃所 组成的第二成份组合而成该介电材料瓷粉组成物, 其中该第二成份之玻璃之组成为5%≦BaO≦30%,20%≦ Bi2O3≦70%,0%≦SiO2≦30%,10%≦ZnO≦40%,10%≦B2O3≦60%。 2.如申请专利范围第1项所述之温度补偿型积层陶 瓷电容器介电材料组成物,其中该第一成份中之各 组成成份系以BaCO3(碳酸钡),Bi2O3(三氧化二铋),Nd2O3( 三氧化二钕),TiO2(二氧化钛)为起始原料,于球磨中 湿式混合16小时,倒出烘乾后于窑炉中以1050℃以上 高温烧2小时,烧料再经粗碎细磨至0.9m以下 。 3.如申请专利范围第1项所述之温度补偿型积层陶 瓷电容器介电材料组成物,其中该第一成份中之各 组成成份系以BaCO3(碳酸钡),Bi2O3(三氧化二铋),或Nd2 (CO3)3(碳酸钕),TiO2(二氧化钛)为起始原料,于球磨中 湿式混16小时,倒出烘乾后于窑炉中以1050℃以上高 温烧2小时,烧料再经粗碎细磨至0.9m以下。 4.如申请专利范围第1项所述之温度补偿型积层陶 瓷电容器介电材料组成物,其中该第二成份中之各 组成成份依比例秤量、混合、烘乾后于1100℃熔化 水淬后再经粗碎细磨至1.5m以下。 5.一种温度补偿型积层陶瓷电容器,该积层陶瓷电 容器之介电材料组成物是由100重量份之第一成份 BaO-Bi2O3-Nd2O3-TiO2与2-16重量份的第二成份玻璃加以 配合的组成物,该第二成份之玻璃之组成为5%<BaO<30 %,20%≦Bi2O3<70%,0%≦SiO2≦30%,10%≦ZnO≦40%,10%≦B2O3<60% ,该组成物于添加有机粘结剂之后,于球磨机中均 匀混合,制成浇注成形用瓷浆,再使瓷浆均匀涂布 于基板上经烘乾后,再印刷内电极材料,如此重覆 数次达到积层陶瓷电容器所需的陶瓷结构,经烧结 而成的积层陶瓷电容器。 6.如申请专利范围第5项所述之温度补偿型积层陶 瓷电容器,其中该第一成份之组成成份由100重量份 如下所示之13.0mole%≦BaO≦20.5 mole%,1.0mole%≦Bi2O3≦8 .5 mole%,8.0mole%≦Nd2O3≦15.0 mole%,63.0mole%≦TiO2≦71.0 mole%与2-16重量份之玻璃所组成的第二成份组合而 成该介电瓷粉组成物。 7.如申请专利范围第6项所述之温度补偿型积层陶 瓷电容器,其中该第二成份之玻璃之近似组成为5% ≦BaO≦30%,20%≦Bi2O3≦70%,0%≦SiO2≦30%,10%≦ZnO≦40%, 10%≦B2O3≦60%。 8.如申请专利范围第5项所述之温度补偿型积层陶 瓷电容器,其中该有机粘结剂由聚甲基丙烯酸甲酯 ,丁酮/乙醇溶剂,丁基基酸酯等成份所组成。 9.如申请专利范围第5项所述之温度补偿型积层陶 瓷电容器,其中该内电极材料之成份为含90%Ag/10%Pd 之内电极材料。
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