| 主权项 |
1.一种下式之双环光阻剂单体, 其中 B选自包括下式的部分: R为氢,经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链烷基 ,环烷基,烷氧烷基,环烷氧烷基,-COOR',-(CH2)tOH,-COO(CH 2)tOH或下式的 部分: V和W各独立为经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支 链烷基,环烷基,烷氧烷基或环烷氧烷基; R'为氢,经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链烷 基,环烷基,烷氧烷基或环烷氧烷基; R"为选自包括三级-丁基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢 喃-2-基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢喃-2-基,1-甲 氧基丙基,1-甲氧基-1-甲基乙基,1-乙氧基丙基,1-乙 氧基-1-甲基乙基,1-甲氧基乙基,1-乙氧基乙基,三级 -丁氧基乙基,1-异丁氧基乙基和2-乙醯基薄荷-1-烯- 1-基所组成之族群中之酸不稳定的保护基; R1-R12各独立为氢,经取代或未经取代之(C1-C10)直链 或支链烷基,环烷基,烷氧烷基,环烷氧烷基,-CH2OH或 -CH2CH2OH; n为从1到3之整数;和 d,m和t各独立为从0到5之整数。 2.根据申请专利范围第1项之双环光阻剂单体,其系 选自包括:5-原冰片烯-2-羧酸2-(1-三级-丁氧羰基六 氢啶-2-基)乙基酯;5-原冰片烯-2,3-二羧酸2-2-(1-三 级-丁氧羰基六氢啶-2-基)乙基酯;5-原冰片烯-2,3- 二羧酸2-(1-三级-丁氧羰基六氢啶-2-基)乙基酯,3- 三级-丁基酯;和5-原冰片烯-2,3-二羧酸2,3-二[(1-三 级-丁氧羰基六氢啶-2-基)乙基]酯所组成之族群 。 3.一种制备根据申请专利范围第1项之双环光阻剂 单体之方法,其包括下列步骤: (a)反应下式的二烯化合物: 与下式的丙烯酸酯化合物: 以产生下式的双环羧酸化合物: 其中 R为氢,经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链烷基 ,环烷基,烷氧烷基,或环烷氧烷基;和 n为从1到3之整数; (b)反应该双环羧酸化合物与亚硫醯氯; (c)反应在该步骤(b)中制得之化合物与下式羟基化 合物: 其中,V为经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链烷 基,环烷基,烷氧烷基或环烷氧烷基; B为下式的部分: 及其中 R1-R12各独立地为氢或经取代或未经取代之(C1-C10) 直链或支链烷基,环烷基,烷氧烷基,环烷氧烷基,-CH 2OH或-CH2CH2OH; R"为选自包括三级-丁基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢 喃-2-基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢喃-2-基,1-甲 氧基丙基,1-甲氧基-1-甲基乙基,1-乙氧基丙基,1-乙 氧基-1-甲基乙基,1-甲氧基乙基,1-乙氧基乙基,三级 -丁氧基乙基,1-异丁氧基乙基和2-乙醯基薄荷-1-烯- 1-基所组成之族群中之酸不稳定的保护基;和 m为从0到5之整数; 其中该步骤(a)包括: (i)在有机溶剂中于-35℃到-25℃之温度范围下组合 该二烯化合物及该丙烯酸酯化合物;和 (ii)增加反应温度到室温。 4.一种制备根据申请专利范围第1项之双环光阻单 体之方法,其包含下列步骤: (a)反应下式的二烯化合物: 与顺-丁烯二酸酐以产生5-原冰片烯-2,3-二羧酸酐, 其中n为从1到3之整数; (b)(i)当R为COOR'时,在酸催化剂存在下接触该5-原冰 片烯-2,3-二羧酸酐与R'OH以产生5-原冰片烯-2,3-二羧 酸酯化合物;或(ii)当R为 时,水合该5-原冰片 烯-2,3-二羧酸酐以产生5-原冰片烯-2,3-二羧酸; 其中 W为经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链烷基,环 烷基,烷氧烷基或环烷氧烷基; B选自包括下式之部分: R'为氢,经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链烷 基,环烷基,烷氧烷基或环烷氧烷基; R"为选自包括三级-丁基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢 喃-2-基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢喃-2-基,1-甲 氧基丙基,1-甲氧基-1-甲基乙基,1-乙氧基丙基,1-乙 氧基-1-甲基乙基,1-甲氧基乙基,1-乙氧基乙基,三级 -丁氧基乙基,1-异丁氧基乙基和2-乙醯基薄荷-1-烯- 1-基所组成之族群中之酸不稳定的保护基; R1-R12各独立地为氢,经取代或未经取代之(C1-C10)直 链或支链烷基,环烷基,烷氧烷基,环烷氧烷基,-CH2OH 或-CH2CH2OH;和 d为从0到5之整数;和 (c)反应该5-原冰片烯-2,3-二羧酸酯或5-原冰片烯-2,3 -二羧酸化合物与下式的羟基化合物: 其中,V为经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链烷 基,环烷基,烷氧烷基或环烷氧烷基; B为下式的部分: 和其中 R1-R12各独立地为氢或经取代或未经取代之(C1-C10) 直链或支链烷基,环烷基,烷氧烷基,环烷氧烷基,-CH 2OH或-CH2CH2OH; R"为选自包括三级-丁基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢 喃-2-基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢喃-2-基,1-甲 氧基丙基,1-甲氧基-1-甲基乙基,1-乙氧基丙基,1-乙 氧基-1-甲基乙基,1-甲氧基乙基,1-乙氧基乙基,三级 -丁氧基乙基,1-异丁氧基乙基和2-乙醯基薄荷-1-烯- 1-基所组成之族群中之酸不稳定的保护基;和 m为从0到5之整数; 其中该步骤(a)包括: (i)在有机溶剂中于-35℃到-25℃之温度范围下组合 该二烯化合物及该顺式丁烯二酸酐;和 (ii)增加反应温度到室温。 5.一种光阻剂共聚物,其衍生自一种包括下式化合 物的单体: 其中 B选自包括下式之部分: R为氢,经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链烷基 ,环烷基,烷氧烷基,环烷氧烷基,-COOR',-(CH2)tOH,-COO(CH 2)tOH或下式的 部分: V和W各独立为经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支 链烷基,环烷基,烷氧烷基或环烷氧烷基; R'为氢,经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链烷 基,环烷基,烷氧烷基或环烷氧烷基; R"为选自包括三级-丁基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢 喃-2-基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢喃-2-基,1-甲 氧基丙基,1-甲氧基-1-甲基乙基,1-乙氧基丙基,1-乙 氧基-1-甲基乙基,1-甲氧基乙基,1-乙氧基乙基,三级 -丁氧基乙基,1-异丁氧基乙基和2-乙醯基薄荷-1-烯- 1-基所组成之族群中之酸不稳定的保护基; R1-R12各独立地为氢,经取代或未经取代之(C1-C10)直 链或支链烷基,环烷基,烷氧烷基,环烷氧烷基,-CH2OH 或-CH2CH2OH; n为从1到3之整数;和 d,m和t各独立地为从0到5之整数。 6.根据申请专利范围第5项之光阻剂共聚物,其进一 步包括选自包括下式的化合物之第二单体: 和其混合物; 其中 R13为经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链醇; R14为选自包括三级-丁基,四氢喃-2-基,2-甲基四 氢喃-2-基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢喃-2-基,1- 甲氧基丙基,1-甲氧基-1-甲基乙基,1-乙氧基丙基,1- 乙氧基-1-甲基乙基,1-甲氧基乙基,1-乙氧基乙基,三 级-丁氧基乙基,1-异丁氧基乙基和2-乙醯基薄荷-1- 烯-1-基所组成之族群中之酸不稳定的保护基; R15为氢或-COON;和 a,b,和c独立为从1到3之整数。 7.根据申请专利范围第5项之光阻剂共聚物,其进一 步包括顺-丁烯二酸酐作为第三单体。 8.根据申请专利范围第5项之光阻剂共聚物,其中该 共聚物的重量平均分子量为3,000到100,000。 9.根据申请专利范围第5项之光阻剂共聚物,其中该 共聚物包括选自包括下式的部分: 其中 v:w:x:y:z的比例为0.01到99摩尔%:0.01到99摩尔%;0.01到35 摩尔%:0.01到35摩尔%:0.01到99摩尔%。 10.一种制备根据申请专利范围第5项之光阻剂共聚 物之方法,其包括下列步骤: (a)在选自包括环己酮,四氢喃,二甲基甲醯胺,二 甲亚,二恶烷,甲基乙基酮,苯,甲苯和二甲苯所组 成之族群中之有机溶剂中掺合 (i)一种根据申请专利范围第1项的化合物: (ii)一种选自包括下式的化合物的第二单体: 和其混合物; 可选择地(iii)顺-丁烯二酸酐,和 (iv)选自包括过氧化苯甲醯,2,2'-偶氮双异丁(AIBN) ,过氧化乙醯,过氧化月桂,三级-丁基过乙酸盐,氢 过氧化三级-丁基和过氧化二-三级-丁基所组成之 族群中之聚合引发剂; ;和 (b)在惰性大气下聚合该掺合物; 其中 R13为经取代或未经取代之(C1-C10)直链或支链醇; R14为选自包括三级-丁基,四氢喃-2-基,2-甲基四 氢喃-2-基,四氢喃-2-基,2-甲基四氢喃-2-基,1- 甲氧基丙基,1-甲氧基-1-甲基乙基,1-乙氧基丙基,1- 乙氧基-1-甲基乙基,1-甲氧基乙基,1-乙氧基乙基,三 级-丁氧基乙基,1-异丁氧基乙基和2-乙醯基薄荷-1- 烯-1-基所组成之族群中之酸不稳定的保护基; R15为氢或-COOH; a,b和c独立为从1到3之整数。 11.一种光阻剂组成物,其包括一种申请专利范围第 5项之光阻剂共聚物,一种选自包括3-甲氧基丙酸甲 基酯,3-乙氧基丙酸乙基酯,丙二醇单甲醚乙酸酯, 环己酮,2-庚酮和(2-甲氧基)乙酸乙酯所组成之族群 中之有机溶剂,和一种选自硫化物或类化合物之 光酸产生剂; 其中存在于该组成物中的该光酸产生剂的量为从0 .05到10重量%该之光阻剂共聚物;且 存在于该组成物中的该有机溶剂之数量为从200到 1000重量%的该光阻剂共聚物。 12.根据申请专利范围第11项之光阻剂组成物,其中 该光酸产生剂为选自包括二苯基碘六氟磷酸盐,二 苯基碘六氟砷酸盐,二苯基碘六氟锑酸盐,二苯基 对-甲氧基苯基三氟甲烷磺酸盐,二苯基对-二甲苯 基三氟甲烷磺酸盐,二苯基对-异丁基苯基三氟甲 烷磺酸盐,二苯基对-三级-丁基苯基三氟甲烷磺酸 盐,三苯基六氟磷酸盐,三苯基六氟砷酸盐,三 苯基六氟锑酸盐,三苯基三氟甲烷磺酸盐,二 丁基基三氟甲烷磺酸盐及其混合物所组成之 族群中。 13.一种形成光阻剂图案之方法,该方法包括下列步 骤: (a)将根据申请专利范围第11项之光阻剂组成物涂 布至半导体元件之基材上以形成光阻剂薄膜; (b)使用一光源将光阻剂薄膜曝光;其中该光阻剂薄 膜系以曝光能量在1 mJ/cm2至100 mJ/cm2范围辐射;和 (c)显影该光阻剂薄膜。 14.根据申请专利范围第13项之形成光阻剂图案之 方法,其进一步包括在步骤(b)之前,在步骤(b)之后 或其组合加热该光阻剂薄膜。 15.根据申请专利范围第14项之形成光阻剂图案之 方法,其中该光阻剂薄膜系加热至70到200℃范围之 温度。 16.根据申请专利范围第14项之形成光阻剂图案之 方法,其中光源为ArF,KrF,EUV,VUV,E-束,X射线,或离子束 。 17.根据申请专利范围第13项之形成光阻剂图案之 方法,其系用于制造半导体元件。 |
