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Es wird ein Halbleiterspeicher angegeben, der ein in einem Substrat (7) vergrabenes elektrisch leitfähiges Gebiet (3) und ein Feld von ersten und zweiten Zellen (1, 2) aufweist. Die ersten Zellen (1) sind als Speicherzellen mit jeweils einem Auswahltransistor (4) und einem Speicherkondensator (5) ausgebildet und sind an Wortleitungen (300) und erste Bitleitungen (100) angeschlossen. Die zweiten Zellen (2) sind als schaltbare Kontakte mit jeweils einem Auswahltransistor (4) und einem Widerstandselement (6) ausgebildet und an jeweils eine der Wortleitungen (300) und an eine zweite Bitleitung (200) angeschlossen. Das Widerstandselement (6) umfasst eine erste Elektrode (61) und eine zweite Elektrode (62), die leitend miteinander verbunden sind. Die zweite Bitleitung (200) ermöglicht es, eine Plattenspannung V¶PL¶ über die zweiten Zellen (2) niederohmig an das vergrabene leitende Gebiet (3) anzulegen.
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