| 发明名称 | 上发光型有机发光二极管像素的制造方法及其结构 | ||
| 摘要 | 一种上发光型有机发光二极管像素的制造方法和结构，其制造方法步骤包括：在基板上限定出至少两个多晶硅岛并限定出掺杂植入区域；依次淀积栅极绝缘层和栅极金属层，并限定出栅极；进行离子植入，形成掺杂区域；淀积层间介电层，并挖开接触孔；淀积源极/漏极金属层，限定出源极/漏极图案，并且该源极/漏极图案延伸至上发光型有机发光二极管的像素区，以作为该上发光型有机发光二极管的下电极。其结构上的特征在于，该上发光型有机发光二极管的下电极由该薄膜晶体管的源极/漏极金属层延伸至该上发光型有机发光二极管的像素区形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1743928A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200410057274.0 | 申请日期 | 2004.08.30 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 吴永富;郑君丞;叶永辉 |
| 分类号 | G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L27/15(2006.01) | 主分类号 | G02F1/136(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 梁挥;徐金国 |
| 主权项 | 1、一种上发光型有机发光二极管的像素制造方法，其中以互补金属氧化物半导体CMOS作为驱动，其特征在于，该方法包括如下步骤：(a)提供一基板，在该基板上限定出至少两个多晶硅岛；(b)在该基板上限定出N+植入区域；(c)依次淀积栅极绝缘层和栅极金属层，并限定出栅极；(d)进行N-植入，以形成轻掺杂漏极LDD区域；(e)用光阻遮住N型元件的预定区，并暴露P型元件的预定区，以进行P+掺杂；(f)淀积层间介电层，并挖开接触孔；以及(g)淀积源极/漏极金属层，限定出源极/漏极图案，并且该源极/漏极金属延伸至上发光型有机发光二极管的像素区，以作为该上发光型有机发光二极管的下电极。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||