半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，是将设有基板、贯穿该基板的贯穿电极，所述贯穿电极具备设于所述基板的能动面侧的第1端子和设于与所述能动面相反的背面侧的第2端子，所述第1端子的外形被制成大于所述第2端子的外形的半导体芯片层叠于连接体上的半导体装置，其特征是，所述半导体芯片将所述第2端子借助钎焊料与所述连接体的连接端子电连接。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，是将设有基板和贯穿该基板的贯穿电极，且所述贯穿电极具备设于所述基板的能动面侧的第1端子和设于与所述能动面相反的背面侧的第2端子，且所述第1端子的外形被制成大于所述第2端子的外形的半导体芯片，在连接体上至少层叠一层的半导体装置的制造方法，其特征是，具备：使所述半导体芯片的第2端子与设置了钎焊料的所述连接体的连接端子接触，将该半导体芯片层叠于所述连接体上的工序、通过从所述第1端子侧对所述第1端子加热加压，借助所述钎焊料将所述连接端子和所述第2端子电连接的工序。