| 发明名称 | 显影处理方法和显影液涂布装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种衬底上的进行了曝光处理的抗蚀剂膜的显影处理方法，其特征是，该方法包括以下工序：在所述衬底上涂布显影液；将涂布有所述显影液的所述衬底放置规定时间以进行显影反应；再向涂布有所述显影液的所述衬底涂布液体，所述液体选自与纯水的混合比为0.1％至1.5％的TMAH溶液、稀释的显影液、纯水、在纯水中添加了界面活性剂以使pH值为9至12的水溶液或pH值为9至12的亲水性有机溶剂中的一种；将涂布有所述液体的所述衬底放置规定时间，由所述液体降低所述显影液生成的溶解生成物的浓度；对涂布有所述液体的所述衬底进行漂洗处理。本发明还提供向衬底上的实施了曝光处理的抗蚀剂膜涂布显影液的显影液涂布装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1743963A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200510099555.7 | 申请日期 | 2002.08.28 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 吉原孝介;田中启一;山本太郎;京田秀治;竹口博史;大河内厚 |
| 分类号 | G03F7/30(2006.01);G03F7/26(2006.01) | 主分类号 | G03F7/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 胡强 |
| 主权项 | 1.一种衬底上的进行了曝光处理的抗蚀剂膜的显影处理方法，其特征是，该显影处理方法包括以下工序：在所述衬底上涂布显影液；将涂布有所述显影液的所述衬底放置规定时间以进行显影反应；再向涂布有所述显影液的所述衬底涂布液体，所述液体选自与纯水的混合比为0.1％至1.5％的TMAH溶液、稀释的显影液、纯水、在纯水中添加了界面活性剂以使pH值为9至12的水溶液或pH值为9至12的亲水性有机溶剂中的一种；将涂布有所述液体的所述衬底放置规定时间，由所述液体降低所述显影液生成的溶解生成物的浓度；对涂布有所述液体的所述衬底进行漂洗处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||