| 发明名称 | 掺磷制备p型氧化锌晶体薄膜的方法及其装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了掺磷制备p型氧化锌晶体薄膜的方法及其装置，其步骤如下：先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少10<SUP>－2</SUP>Pa，然后加热衬底，用热蒸发器将固态磷源蒸发成气态，将含有纯有机锌源的载气和载动气态磷源的纯氧源气体输入生长室，生长室压力为10<SUP>－2</SUP>－200Pa，在衬底上生长掺磷氧化锌薄膜，得到n型掺磷氧化锌薄膜，然后退火得到p型ZnO薄膜。本发明通过控制锌源和氧源的流量、生长温度和压力可以制备不同掺杂浓度n型氧化锌晶体薄膜。通过控制热处理的温度和时间可以得到不同空穴浓度的p型ZnO薄膜。所得晶体薄膜重复性和稳定性较好，可用于制备氧化锌基光电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1744279A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200510050075.1 | 申请日期 | 2005.06.14 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 叶志镇;陈福刚;徐伟中;赵炳辉;朱丽萍;黄靖云 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01);C23C16/40(2006.01);C23C16/44(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 韩介梅 |
| 主权项 | 1.掺磷制备p型氧化锌晶体薄膜的方法，其特征是步骤如下：先将衬底表面清洗后放入金属有机化学汽相沉积生长室中，生长室真空度抽到至少10-2Pa，然后加热衬底，使衬底温度为300～500℃，用热蒸发器将固态磷源蒸发成为气态，将含有纯有机锌源的载气和载动气态磷源的纯氧源气体输入生长室，控制纯氧源和纯有机锌源的摩尔流量分别为0.1-100μmol/min和5-10000μmol/min，生长室压力为10-2-200Pa，在衬底上生长掺磷氧化锌薄膜，得到载流子浓度为1.0×1018cm-3-1.0×1020cm-3的n型氧化锌薄膜，再将得到的n型掺磷氧化锌薄膜在退火炉中于400-900℃温度下进行退火1-60分钟，得到空穴载流子浓度在1×1015-1×1018cm-3的p型ZnO薄膜。 | ||
| 地址 | 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||