形成孔洞于半导体晶圆的方法

摘要

本发明是有关于一种形成孔洞于半导体晶圆的方法。利用虚拟特征形成孔洞于半导体晶圆。该方法包括形成一硬罩幕层于一介电层上，硬罩幕层包括一实体部分与一第一开口，并提供一图案化材料层于硬罩幕层上，图案化材料层包括第二开口与第三开口。图案化材料层的第二开口对准硬罩幕层的第一开口，图案化材料层的第三开口对准硬罩幕层的实体部分。孔洞是利用图案化材料层的第二开口，并且硬罩幕层的第一开口形成于介电层中。本发明提供一种制造一内连线的方法，以及一种光罩，使用于一微影系统，用以制造一集成电路元件。该光罩具有特征与复数个虚拟特征(dummy feature)的基材，其中虚拟特征是位于特征之间。虚拟特征可用以修改特征的光学特性。

主权项

1、一种形成孔洞于半导体晶圆的方法，其特征在于其至少包括：形成一硬罩幕层于一介电层之上，该硬罩幕层包括一实体部分与一第一开口；提供一图案化材料层于该硬罩幕层之上，该图案化材料层包括一第二开口与一第三开口，其中该图案化材料层的该第二开口对准该图案化材料层的该第一开口，且该图案化材料层的该第三开口对准该硬罩幕层的该实体部分；以及利用该图案化材料层的该第二开口与该硬罩幕层的该第一开口，形成一孔洞于该介电层。