| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de programmation d'une cellule mémoire présentant une courbe de transconductance (C3) déterminée. La programmation de la cellule mémoire comprend une succession de cycles de programmation comprenant chacun une étape de vérification de l'état de la cellule mémoire. Selon l'invention, l'étape de vérification comprend une première lecture de la cellule mémoire avec une première tension de lecture (Vy1) supérieure à une tension de seuil de référence (VTref), et une seconde lecture de la cellule mémoire avec une seconde tension de lecture (Vy2) inférieure ou égale à la tension de seuil de référence (VTref). La cellule mémoire est considérée comme n'étant pas dans l'état programmé si des courants (I3, I3') de première et de seconde lecture traversant la cellule mémoire sont supérieurs à des seuils déterminés (Iref1, Iref2), et des impulsions de tension de programmation sont appliquées à la cellule mémoire tant que celle-ci n'est pas dans l'état programmé. Application notamment à la programmation de cellules mémoire Flash.</P>
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