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发明名称
开口的形成方法
摘要
一种开口的形成方法,此形成方法系先提供一基底,基底上已形成有图案化之垫氧化层与罩幕层,并且暴露出基底表面。然后,以罩幕层为蚀刻罩幕,进行一蚀刻制程,而于基底中形成一开口。之后,于开口的侧壁形成一保护层,且保护层系至少覆盖住罩幕层与垫氧化层之裸露的侧壁。由于开口侧壁处之垫氧化层覆盖有保护层,且此保护层可以有效阻挡蚀刻反应物之侵蚀,因此可解决因蚀刻反应物侵蚀垫氧化层,而造成之垫氧化层底切的问题。
申请公布号
TW200608480
申请公布日期
2006.03.01
申请号
TW094135850
申请日期
2004.03.15
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
李政哲;庄慧伶
分类号
H01L21/30
主分类号
H01L21/30
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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