发明名称 半导体雷射元件及半导体雷射元件阵列
摘要 本发明系关于可将射出角较小的雷射光以更简单的构成且以良好效率射出的半导体雷射元件等。该半导体雷射元件具备第1半导体部、活性层和第2半导体部。第1半导体部具备:用以在活性层形成折射率型导波区域的隆起部。导波区域至少包含侧面之全反射临界角彼此相异的第1及第2部分。第1及第2部分分别以侧面相对于位于活性层两端之光射出面及光反射面的相对角度大于该侧面之全反射临界角的方式配置。此时,第1部分的侧面相对于光射出面及光反射面的相对角度,系与第2部分的侧面相对于光射出面及光反射面的相对角度不同。
申请公布号 TW200608659 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW094121231 申请日期 2005.06.24
申请人 滨松赫德尼古斯股份有限公司 发明人 宫岛博文;渡边明佳;菅博文
分类号 H01S5/22 主分类号 H01S5/22
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本
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