| 摘要 |
本发明提供数种方法及电路用于在双位元快闪记忆体阵列中执行高速写入(编程)操作。方法(200)包含，例如，拭除(204)阵列内各胞元的第一与第二位元成为第一状态，编程(206)阵列内各胞元的第一位元成为第二状态，且随后根据使用者的资料编程阵列内一个或更多胞元的第二位元成为第一与第二状态中之一种，结果该等第二位元可快速写入(编程)。此外，该电路包含，例如，核心胞元阵列(402)，系具有组态成复数个阵列部份的双位元快闪记忆体胞元。该电路进一步包含控制电路(404)，系经组态成可选择性区块拭除该等阵列部份中之一个，其中在区块拭除(204)的第一阶段，于一个阵列部份内各双位元快闪记忆体胞元的第一与第二位元位置两者均被移除足够的电荷以实现第一状态。该控制电路(404)进一步组态成：在区块拭除的第二阶段(206)中，供给电荷至一个阵列部份内各双位元快闪记忆体胞元的第一位元位置以致随后可快速写入使用者的资料至第二位元位置。 |
