| 主权项 |
1.一种复数个光电半导体晶片之制造方法,其分别 包含复数个结构元件,各结构元件分别具有至少一 个半导体层,本方法之特征是包含至少以下各步骤 : -制备一种晶片复合物一基体,其具有一种基板和 一种生长表面; -在该生长表面上形成一种遮罩材料层,其包含多 个视窗,其中大部份之视窗所具有之平均范围都小 于或等于1m,此时须选取一种遮罩材料,使半导体 层之一在稍后之步骤中即将生长之半导体材料基 本上不会生长-或和该生长表面比较时以困难很多 之方式生长在该遮罩材料上; -基本上在该生长表面之位于该视窗内部之区域上 同时生长各个半导体层;且 -使该晶片复合物-基体及已施加之材料划分成半 导体晶片。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该晶片复合物 -基体具有至少一以磊晶方式生长在该基板上之半 导体层且该生长表面是该以磊晶方式生长之半导 体层之远离该基板之此侧上之一种表面。 3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该晶片复 合物-基体具有一以磊晶方式生长在该基板上之半 导体层序列其具有一种发出电磁辐射之活性区,且 该生长表面是该半导体层序列之远离该基板之此 侧上之一种表面。 4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中各结构元 件分别具有一以磊晶方式生长之半导体层序列,其 包含一种发出电磁辐射之活性区。 5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该遮罩材 料具有SiO2,SixNy或Al2O3。 6.如申请专利范围第3项之方法,其中在生长各半导 体层之后在各半导体层上施加一种由导电材料所 构成之层,其可透过一由该活性区所发出之电磁辐 射,使多个结构元件之半导体层藉由该接触材料而 可导电地互相连接。 7.如申请专利范围第4项之方法,其中在生长各半导 体层之后在各半导体层上施加一种由导电材料所 构成之层,其可透过一由该活性区所发出之电磁辐 射,使多个结构元件之半导体层藉由该接触材料而 可导电地互相连接。 8.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该遮罩材 料层之平均厚度小于一结构元件之各半导体层之 总厚度。 9.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该遮罩材 料层在生长各半导体层之后至少一部份被去除。 10.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在生长各 半导体层序列之后在该生长表面上施加一种平坦 层。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中须选取一种 材料以用于该平坦层中,该材料之折射率小于各半 导体层之折射率。 12.如申请专利范围第10项之方法,其中须选取一种 材料以用于该平坦层中,该材料具有介电性。 13.如申请专利范围第11项之方法,其中须选取一种 材料以用于该平坦层中,该材料具有介电性。 14.如申请专利范围第1或2项之方法,其中须设定各 种生长条件以生长各个半导体层及/或在生长期间 改变各种生长条件,使各结构元件之半导体层形成 一种透镜之形式,截锥体之形式或多面体之形式。 15.如申请专利范围第1或2项之方法,其中各个半导 体层之生长是藉由金属有机气相磊晶方来达成。 16.一种光电半导体晶片,其特征为其系依据申请专 利范围第1至15项中任一项之方法所制成。 图式简单说明: 第1a至1d图 本方法之一实施例之不同阶段中一种 生长表面之一部份之俯视图。 第2图 光电组件之第一实施例之一部份之切面图 。 第3图 光电组件之第二实施例之一部份之切面图 。 |
