| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其包含如下步骤: (a)在氧化矽基板上之矽膜上,顺序地叠层氧化矽膜 、多晶矽和氮化矽膜; (b)对指定区域之上述氮化矽膜、上述多晶矽、上 述氧化矽膜和上述矽膜进行蚀刻,用来形成在上述 矽膜中具有底面之沟渠; (c)以600℃以下之温度,在露出到上述沟渠之上述矽 膜之表面形成绝缘膜; (d)去除上述绝缘膜;和 (e)将绝缘材料埋入到上述沟渠。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中上述步骤(c)是以200℃至600℃之温度,使上述矽 膜之表面进行自由基氧化,电浆氧化或电浆氮化。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中上述步骤(c)是使用臭氧系溶液,以20℃至120℃ 之温度使上述矽膜之表面氧化。 4.一种半导体装置之制造方法,其包含如下步骤: (a)在氧化矽基板上之矽膜上,顺序地叠层氧化矽膜 、多晶矽和氮化矽膜; (b)对指定区域之上述氮化矽膜、上述多晶矽、上 述氧化矽膜和上述矽膜进行蚀刻,用来形成在上述 矽膜中具有底面之沟渠; (c)以800℃至1200℃之温度,进行30秒至4小时之退火, 用来在露出到上述沟渠之上述矽膜之表面形成绝 缘膜; (d)去除上述绝缘膜;和 (e)将绝缘材料埋入到上述沟渠。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置之制造方法, 其中上述步骤(c)之上述退火是在氮气环境中或氩 气/氧气环境中进行。 6.如申请专利范围第1至5项中任一项之半导体装置 之制造方法,其更在上述步骤(d)和上述步骤(e)之间 ,具备在露出到上述沟渠之上述矽膜之表面形成氧 化膜的步骤。 7.一种半导体装置之制造方法,其包含如下步骤: (a)在氧化矽基板上之矽膜上,顺序地叠层氧化矽膜 、多晶矽和氮化矽膜; (b)对指定区域之上述氮化矽膜、上述多晶矽、上 述氧化矽膜和上述矽膜进行蚀刻,用来形成在上述 矽膜中具有底面之沟渠; (c)利用湿式蚀刻,将露出到上述沟渠之上述矽膜之 表面去除1nm至20nm之厚度:和 (d)将绝缘材料埋入到上述沟渠。 8.如申请专利范围第7项之半导体装置之制造方法, 其中上述步骤(c)所进行之上述湿式蚀刻是使用氨 过氧化氢系溶液、氨溶液、缓冲氟酸溶液和氢氧 化钾溶液之任一种,以20℃至150℃进行。 9.如申请专利范围第7或8项之半导体装置之制造方 法,其更在上述步骤(c)和上述步骤(d)之间,具备在 露出到上述沟渠之上述矽膜之表面形成氧化膜的 步骤。 10.如申请专利范围第1至5、7及8项中任一项之半导 体装置之制造方法,其更具备在将绝缘材料埋入到 上述沟渠之步骤之后,以600℃以下之温度进行1小 时以上之退火的步骤。 11.如申请专利范围第1至5、7及8项中任一项之半导 体装置之制造方法,其更具备在将绝缘材料埋入到 上述沟渠之步骤之后,使露出到表面之上述绝缘材 料之上述矽膜侧成为曲面形状的步骤。 12.一种半导体装置之制造方法,其包含如下步骤: (a)在氧化矽基板上之矽膜上,顺序地叠层氧化矽膜 、多晶矽和氮化矽膜; (b)对指定区域之上述氮化矽膜、上述多晶矽、上 述氧化矽膜和上述矽膜进行蚀刻,用来形成在上述 矽膜中具有底面之沟渠; (c)在露出到上述沟渠之上述矽膜之表面形成氧化 膜; (d)将绝缘材料埋入到上述沟渠;和 (e)以600℃以下之温度进行1小时以上之退火。 13.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方 法,其中,在上述步骤(e)之后,更具备在上述矽膜形 成井区域之步骤。 14.如申请专利范围第12或13项之半导体装置之制造 方法,其更具备在将上述绝缘材料埋入到上述沟渠 之步骤之后,使露出到表面之上述绝缘材料之上述 矽膜侧成为曲面形状之步骤。 图式简单说明: 图1是用来表示半导体装置之概念平面图。 图2是用来表示实施形态1所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图3是用来表示实施形态1所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图4是用来表示实施形态1所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图5是用来表示实施形态1所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图6是用来表示实施形态1所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图7是用来表示实施形态1所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图8是用来表示实施形态1所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图9是用来表示实施形态1所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图10是用来表示实施形态1所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图11是用来表示实施形态1所说明之被制造之半导 体装置之剖面图。 图12是用来表示实施形态2所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图13是用来表示实施形态2所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图14是用来表示实施形态2所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图15是用来表示实施形态3所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图16是用来表示实施形态3所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图17是用来表示实施形态3所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图18是用来表示实施形态4所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图19是用来表示实施形态4所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图20是用来表示实施形态4所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图21是用来表示实施形态4所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图22是用来表示实施形态4所说明之制造阶段之半 导体装置之剖面图。 图23是用来表示绝缘材料和矽膜呈现曲面形状之 制造阶段之半导体装置之剖面图。 图24用来表示实施形态1所说明之Fe之温度和扩散 距离之关系。 图25用来表示实施形态1所说明之Ni之温度和扩散 距离之关系。 图26用来表示实施形态1所说明之Co之温度和扩散 距离之关系。 图27用来表示实施形态1所说明之Ti之温度和扩散 距离之关系。 图28用来表示实施形态1所说明之Al之温度和扩散 距离之关系。 图29用来表示实施形态1所说明之Cr之温度与扩散 距离之关系。 |
