| 主权项 |
1.一种场发射显示器之制备方法,包括下列步骤: 步骤一,将奈米碳管分布于绝缘基底表面形成之导 电阴极层上; 步骤二,于导电阴极层上正交形成绝缘层; 步骤三,于所述绝缘层上形成导电栅极; 步骤四,使分布于所述导电栅极两侧之导电阴极层 上之奈米碳管直立于所述专电阴极层上;及 步骤五,封装萤光屏及密封侧壁。 2.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中所述步骤一包括下列分步骤:将奈米 碳管浆料直接涂覆于制备好之绝缘基底表面之专 电阴极层表面。 3.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中所述步骤一包括下列分步骤: 于绝缘基底表面制备形成亲水之导电阴极层; 于绝缘基底表面涂覆一层疏水之光刻胶,并用光刻 工艺去除导电阴极层表面之光刻胶; 配制奈米碳管溶液备用; 将上述处理好之绝缘基底浸入配制好之奈米碳管 溶液中,使得奈米碳管粘附于亲水之导电阴极层表 面; 洗去剩余之光刻胶。 4.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中所述奈米碳管之长度小于绝缘层之厚 度。 5.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中所述绝缘层系玻璃材料制成。 6.如申请专利范围第5项所述之场发射显示器之制 备方法,其中所述绝缘层系利用丝网印刷法将玻璃 浆料印于绝缘层表面,再经过烧结形成。 7.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中所述绝缘层系楔形结构,其与导电阴 极层接触之底面宽度最大,与栅极接触之顶面宽度 最小。 8.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中所述绝缘层系长条形。 9.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中所述导电栅极系通过丝网印刷法将银 浆料印于绝缘层顶端,再经过烧结形成。 10.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中所述步骤四包括下列分步骤: 用粘性胶带贴于导电阴极层表面,拉起胶带将原来 倒伏在导电阴极层表面之奈米碳管直立于导电阴 极层表面。 11.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中步骤四包括下列分步骤: 产生强电场作用于所述奈米碳管,使得奈米碳管于 电场作用下直立于导电阴极层表面。 12.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中导电阴极层包括一导电薄膜。 13.如申请专利范围第12项所述之场发射显示器之 制备方法,其中所述导电薄膜包括ITO导电膜。 14.如申请专利范围第1项所述之场发射显示器之制 备方法,其中所述萤光屏包括透明基板、阳极及萤 光层。 图式简单说明: 第一图至第六图系本发明场发射显示器制备方法 实施例之各步骤示意图。 第七图系本发明方法制备得到之场发射显示器之 发射电子原理示意图。 第八图至第十图系本发明采用之不同形状结构绝 缘层之示意图。 第十一图系现有技术三极型场发射显示器之结构 及电子发射示意图。 第十二图系美国专利第6,445,124号揭露之场发射装 置结构示意图。 |
