发明名称 反射板、包含反射板的发光二极体用壳体及该发光二极体
摘要 本发明系一种反射板、包含反射板的发光二极体用壳体及该发光二极体,其中系今该氧化铝陶瓷烧结成的反射板控制其气孔直径介于0.10μm~1.25μm范围,或令其气孔率介于10%~60%的范围,用以该反射板表面的反射率,且该反射板应用于发光二极体或其壳体中,则藉由该高反射率的反射板在不须外加其它反射物件的情形下,可有效提升发光辉度者。
申请公布号 TWI250673 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW094108166 申请日期 2005.03.17
申请人 共立电子工业股份有限公司 发明人 山本济宫;工藤幸二;光山和磨;深江弘之;前田良次;西山研吾
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种反射板,系由氧化铝陶瓷材料烧结而成,其特 征在于:该烧结后氧化铝陶瓷的气孔直径为0.10m- 1.25m。 2.一种反射板,系由氧化铝陶瓷材料烧结而成,其特 征在于:该烧结后氧化铝陶瓷的气孔率为10%-60%。 3.一种发光二极体用壳体,包括一基体及一贴合于 该基体上的反射板,该氧化铝陶瓷材料烧结成之反 射板中形成具有反射面的开口,其特征在于:该烧 结后反射板气孔直径0.10m-1.25m。 4.一种发光二极体用壳体,包括一基体及一贴合于 该基体上的反射板,该氧化铝陶瓷材料烧结成之反 射板中形成具有反射面的开口,其特征在于:该烧 结后反射板气孔率10%-60%。 5.一种发光二极体,包括一基体、一贴合于该基体 上的反射板以及一发光元件,该氧化铝陶瓷材料烧 结成之反射板中形成具有反射面的开口,该发光元 件设于基体上且位于该开口中,其特征在于:该烧 结后反射板气孔直径0.10m-1.25m。 6.一种发光二极体,包括一基体、一贴合于该基体 上的反射板以及一发光元件,该氧化铝陶瓷材料烧 结成之反射板中形成具有反射面的开口,该发光元 件设于基体上且位于该开口中,其特征在于:该烧 结后反射板气孔率10%-60%。 图式简单说明: 第一图系本发明中发光二极体用壳体的剖面示意 。 第二图A-B系为本发明中发光二极体的立体示意图 及剖视图。 第三图为本发明试作样品对应波长300nm的气孔直 径与反射率的关系曲线图。 第四图为本发明试作样品对应波长350nm的气孔直 径与反射率的关系曲线图。 第五图为本发明试作样品对应波长400nm的气孔直 径与反射率的关系曲线图。 第六图为本发明试作样品对应波长500nm的气孔直 径与反射率的关系曲线图。 第七图为本发明试作样品对应波长600nm的气孔直 径与反射率的关系曲线图。 第八图为本发明试作样品对应波长300nm的气孔率 与反射率的关系曲线图。 第九图为本发明试作样品对应波长350nm的气孔率 与反射率的关系曲线图。 第十图为本发明试作样品对应波长400nm的气孔率 与反射率的关系曲线图。 第十一图为本发明试作样品对应波长500nm的气孔 率与反射率的关系曲线图。 第十二图为本发明试作样品对应波长600nm的气孔 率与反射率的关系曲线图。 第十三图为本发明试作样品波长与反射率的关系 曲线图。 第十四图为本发明试作样品波长与反射率的关系 曲线图。
地址 日本