| 主权项 |
1.一种暂态电压侦测电路,该暂态电压侦测电路用 以针对一电子系统(Electronic system)侦测一暂态电压 (Transient voltage),该电子系统具有一电源供应埠( Power supply port)以及一接地埠(Ground port),该暂态电 压侦测电路包含: 一电容元件(Capacitor),该电容元件具有一第一端( Terminal)以及一第二端,该电容元件之第一端系耦合 至该接地埠; 一具有一顺向操作方向(Operating forward orientation)之 整流元件(Rectifying device),该电容元件之第二端系 经由该整流元件串联耦合至该电源供应埠,并且该 整流元件之顺向操作方向系指向该电容元件,致使 位于该电容元件之第二端处之一电压系关连于该 电源供应埠; 一预设电阻元件(Pre-set resistance device),该预设电阻 元件系与该电容元件做并联耦合,该预设电阻元件 用以预设该电路之一操作点电压,使该电路处于正 常操作状态;以及 一侦测元件(Detecting device),该侦测元件具有一耦合 至该电容元件之第二端之输入端,一旦该暂态电压 发生于该电源供应埠时,并且当位于该电容元件之 第二端处之电压系高过一门槛电压(Threshold voltage) 时,该侦测元件则输出一输出电压,用以代表该暂 态电压的发生。 2.如申请专利范围第1项所述之暂态电压侦测电路, 其中该整流元件由多个串联的二极体(Diode)或多个 串联的金属氧化物半导体电晶体(MOS transistor)所构 成。 3.如申请专利范围第1项所述之暂态电压侦测电路, 其中该预设电阻元件系一可程式电阻或一金属氧 化物半导体电晶体(MOS transistor)。 4.如申请专利范围第1项所述之暂态电压侦测电路, 其中该侦测元件系一反向器(Inverter)或一比较器( Comparator)。 5.一种暂态电压侦测电路,该暂态电压侦测电路用 以针对一电子系统(Electronic system)侦测一暂态电压 (Transient voltage),该电子系统具有一电源供应埠( Power supply port)以及一接地埠(Ground port),该暂态电 压侦测电路包含: 一电容元件(Capacitor),该电容元件具有一第一端( Terminal)以及一第二端,该电容元件之第一端系耦合 至该接地埠; 一具有一顺向操作方向(Operating forward orientation)之 整流元件(Rectifying device),该电容元件之第二端系 经由该整流元件串联耦合至该电源供应埠,并且该 整流元件之顺向操作方向系指向该电源供应埠,致 使位于该电容元件之第二端处之一电压系关连于 该电源供应埠; 一预设电阻元件(Pre-set resistance device),该预设电阻 元件系与该整流元件做并联耦合,该预设电阻元件 用以预设该电路之一操作点电压,使该电路处于正 常操作状态;以及 一侦测元件(Detecting device),该侦测元件具有一耦合 至该电容元件之第二端之输入端,一旦该暂态电压 发生于该电源供应埠时,并且当位于该电容元件之 第二端处之电压系低于一门槛电压(Threshold voltage) 时,该侦测元件则输出一输出电压,用以代表该暂 态电压的发生。 6.如申请专利范围第5项所述之暂态电压侦测电路, 其中该预设电阻元件由多个串联的二极体(Diode)或 多个串联的金属氧化物半导体电晶体(MOS transistor) 所构成。 7.如申请专利范围第5项所述之暂态电压侦测电路, 其中该预设电阻元件系一可程式电阻或一金属氧 化物半导体电晶体(MOS transistor)。 8.如申请专利范围第5项所述之暂态电压侦测电路, 其中该侦测元件系一反向器(Inverter)或一比较器( Comparator)。 9.一种暂态电压侦测电路,该暂态电压侦测电路用 以针对一电子系统(Electronic system)侦测一暂态电压 (Transient voltage),该电子系统具有一电源供应埠( Power supply port)以及一接地埠(Ground port),该暂态电 压侦测电路包含: 一电容元件(Capacitor),该电容元件具有一第一端( Terminal)以及一第二端,该电容元件之第一端系耦合 至该电源供应埠; 一具有一顺向操作方向(Operating forward orientation)之 整流元件(Rectifying device),该电容元件之第二端系 经由该整流元件串联耦合至该接地埠,并且该整流 元件之顺向操作方向指向该电容元件,致使位于该 电容元件之第二端处之一电压系关连于该接地埠; 一预设电阻元件(Pre-set resistance device),该预设电阻 元件系与该整流元件做并联耦合,该预设电阻元件 用以预设该电路之一操作点电压,使该电路处于正 常操作状态;以及 一侦测元件(Detecting device),该侦测元件具有一耦合 至该电容元件之第二端之输入端,一旦该暂态电压 发生于该接地埠时,并且当位于该电容元件之第二 端处之电压系高过一门槛电压(Threshold voltage)时, 该侦测元件则输出一输出电压,用以代表该暂态电 压的发生。 10.如申请专利范围第9项所述之暂态电压侦测电路 ,其中该预设电阻元件由多个串联的二极体(Diode) 或多个串联的金属氧化物半导体电晶体(MOS transistor)所构成。 11.如申请专利范围第9项所述之暂态电压侦测电路 ,其中该预设电阻元件系一可程式电阻或一金属氧 化物半导体电晶体(MOS transistor)。 12.如申请专利范围第9项所述之暂态电压侦测电路 ,其中该侦测元件系一反向器(Inverter)或一比较器( Comparator)。 13.一种暂态电压侦测电路,该暂态电压侦测电路用 以针对一电子系统(Electronic system)侦测一暂态电压 (Transient voltage),该电子系统具有一电源供应埠( Power supply port)以及一接地埠(Ground port),该暂态电 压侦测电路包含: 一电容元件(Capacitor),该电容元件具有一第一端( Terminal)以及一第二端,该电容元件之第一端系耦合 至该电源供应埠; 一具有一顺向操作方向(Operating forward orientation)之 整流元件(Rectifying device),该电容元件之第二端系 经由该整流元件串联耦合至该接地埠,并且该整流 元件之顺向操作方向指向该接地埠,致使位于该电 容元件之第二端处之一电压系关连于该接地埠; 一预设电阻元件(Pre-set resistance device),该预设电阻 元件系与该电容元件做并联耦合,该预设电阻元件 用以预设该电路之一操作点电压,使该电路处于正 常操作状态;以及 一侦测元件(Detecting device),该侦测元件具有一耦合 至该电容元件之第二端之输入端,一旦该暂态电压 发生于该接地埠时,并且当位于该电容元件之第二 端处之电压系低于一门槛电压(Threshold voltage)时, 该侦测元件则输出一输出电压,用以代表该暂态电 压的发生。 14.如申请专利范围第13项所述之暂态电压侦测电 路,其中该预设电阻元件由多个串联的二极体(Diode )或多个串联的金属氧化物半导体电晶体(MOS transistor)所构成。 15.如申请专利范围第13项所述之暂态电压侦测电 路,其中该预设电阻元件系一可程式电阻或一金属 氧化物半导体电晶体(MOS transistor)。 16.如申请专利范围第13项所述之暂态电压侦测电 路,其中该侦测元件系一反向器(Inverter)或一比较 器(Comparator)。 图式简单说明: 图一系绘示根据本发明之第一较佳具体实施例之 暂态电压侦测电路1,适于侦测发生于一电子系统 之电源供应埠VCC处之一正的暂态电压。 图二系绘示根据本发明之第二较佳具体实施例之 暂态电压侦测电路2,适于侦测发生于一电子系统 之电源供应埠VCC处之一负的暂态电压。 图三系绘示根据本发明之第三较佳具体实施例之 暂态电压侦测电路3,适于侦测发生于一电子系统 之接地埠GND处之一正的暂态电压。 图四系绘示根据本发明之第四较佳具体实施例之 暂态电压侦测电路4,适于侦测发生于一电子系统 之接地埠GND处之一负的暂态电压。 |
