发明名称 单相流体压印微影法
摘要 本发明系有关一种藉减少被沉积在一基材上之一层黏性液体中的气袋,而来消减压印层中之图案变形的方法。其中,该方法包括改变靠近于该黏性液体之气体的迁移性。具言之,靠近该要被复制图案之基材的氛围会被充满某些气体,其相对于被沉积的黏性液体具有较高的溶解度及/或扩散性。可附加地或取代填满该氛围,该氛围的压力亦可被减低。
申请公布号 TWI250560 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW093129415 申请日期 2004.09.29
申请人 分子压模公司;德州大学董事会 发明人 麦克马基;巴比斯;弗斯;瓦特;特鲁斯基 凡恩;徐;弗伊辛;拉德;史黛西
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种用来减少沉积在一基材上的黏性液体层内 之气体的方法,包含: 改变靠近于该黏性液体的气体成分来促进在该黏 性液体内之气体的迁移。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该改变更包括 提高对该黏性液体内之气体的可溶解度。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该改变更包括 提高在该黏性液体内之气体的可扩散性。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该改变更包括 提高在该黏性液体内之气体的可渗透性。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该改变更包括 注入一流体来控制靠近该基材的氛围以浸渗该黏 性液体。 6.如申请专利范围第1项之方法,更包括减低靠近该 基材之氛围的压力。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该改变更包括 藉注入一流体来控制靠近该基材的氛围,以增加该 黏性液体内之气体的迁移。 8.如申请专利范围第6项之方法,其中该注入更包括 注入选自二氧化碳或氦的流体。 9.一种将流体注入于设在一模板上的模件与一基 材之间的方法,包含: 注入一流体流靠近于该模板而在该基材与模板之 间造成一流体乱流,以使部分流体移经该模件与基 材之间。 10.如申请专利范围第9项之方法,其中该注入更包 括将该流体流脉冲喷入一邻接该模板且重叠该基 材的区域中。 11.如申请专利范围第9项之方法,其中该注入更包 括脉喷该流体流,而该脉喷更包括将该流体经由环 绕该模板周缘之不同位置的多数区域来依序地喷 注,而在一位于该模件与基材之间的氛围中造成一 流穴。 12.一种用来将一流体流注入一设在一模板上的模 件与一基材之间的系统,包含: 一流体供应系统;及 一吸盘本体具有一隔板及第一和第二孔口,该等孔 口系设在该吸盘本体之一表面上而介于隔板与模 板之间,并会导通该流体供应系统,而在该模件与 基材之间造成一流体乱流。 13.如申请专利范围第12项之系统,其中该吸盘本体 更包含多数的孔口设在该吸盘本体的表面上而介 于该隔板与模板之间。 14.如申请专利范围第12项之系统,其中该吸盘本体 更包含多数的孔口设在该吸盘本体的表面上而介 于该隔板与模板之间,且该等孔口包含一对孔口相 对列设。 15.如申请专利范围第12项之系统,其中该吸盘本体 更包含多数的孔口设在该吸盘本体的表面上而介 于该隔板与模板之间,且该等孔口系被置设在一具 有多数象限的共同圆圈中,其中有一象限包含一组 孔口,而不同的象限包含不同组的孔口。 图式简单说明: 第1图为本发明之一微影压印层34系统的立体图; 第2图为第1图所示之微影系统的简化平面图; 第3图为一用来制造第2图之压印层的材料在被聚 合化及交链之前的简化示意图; 第4图为第3图所示的材料在被照射辐射之后转变 成交链聚合材料的简化示意图; 第5图为第1图所示的模件在图案化该压印层之后 与该压印层间隔分开的简化平面图; 第6图为第5图所示的基材在第一压印层的图案移 转于其上之后,有一添加的压印层布设于该基材顶 上的简化平面图; 第7图为第1图所示之印头的立体图; 第8图为本发明之一吸盘系统的截面图; 第9图为第7图所示之印头的截面图;及 第10图为第9图所示之印头的底视立体图。
地址 美国