发明名称 电子元件、层积陶瓷电容及其制造方法
摘要 本发明系提供:即使在内部电极层分别薄层化之情况,也可在烧成阶段抑制金属粒子之粒成长,有效防止内部电极层之球状化、电极中断,可有效抑制静电容量之低下之层积陶瓷电容等电子元件及其制造方法。在本发明中,系制造具有内部电极层12与介电体层10之电子元件之制造方法,系包括:形成具有介电体薄膜42a、42b以及金属薄膜40之烧成前内部电极薄膜12a之制程;使烧成后成为介电体层10之生胚薄片10a与前述内部电极薄膜12a层积之制程;以及前述生胚薄片10a与前述内部电极薄膜12a之层积体之制程之电子元件之制造方法。
申请公布号 TW200608425 申请公布日期 2006.03.01
申请号 TW094113656 申请日期 2005.04.28
申请人 TDK股份有限公司 发明人 铃木和孝;佐藤茂树
分类号 H01G4/12;H01G4/30 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 洪澄文
主权项
地址 日本