每一闸极具有二个捕捉区域的电荷捕捉非挥发性记忆体及其操作方法

摘要

一种多重闸极记忆胞，此多重闸极记忆胞包括一与半导体主体上多数个串联排列的闸极。半导体主体上的电荷储存结构包括二个电荷捕捉区域，此二个电荷捕捉区域位于多数个闸极中全部或一些闸极的每一个下方。还包括传导源极偏压与汲极偏压至靠近闸极列中第一闸极与最终闸极的半导体主体，以及传导闸极偏压至多数个闸极的电路系统。多重闸极记忆胞包括一连续的多重闸极通道区，此多重闸极通道区位于闸极列中的多数个闸极下方。在一些或全部的闸极之间，此多重闸极记忆胞具有电荷储存区。