| 主权项 |
1.一种多结晶矽之制造方法,其特征系具有:在基板 上堆积非单晶矽的堆积步骤,及 把具有沿着第1方向的宽度、及沿着与此第1方向 直交的第2方向的长度之光束点形成于该非单晶矽 的表面的雷射光束,对该非单晶矽沿着该第1方向 相对扫描照射于该非单晶矽的表面,使该非单晶矽 结晶化的结晶化步骤; 该雷射光束,其显示沿着该第1方向的该雷射光束 的强度分布的特性线,形成包含显示最高强度的1 个顶点之凸状曲线,该顶点的雷射强度在规格化为 1m时,该曲线的曲率半径为0.2m以上,4m以下。 2.如申请专利范围第1项之多结晶矽之制造方法,其 中该显示雷射光束的宽度方向的强度分布之特性 线的顶点位置,系较沿着该宽度方向的中央偏向一 端侧。 3.如申请专利范围第1项之多结晶矽之制造方法,其 中该显示雷射光束的宽度方向的强度分布之特性 线的顶点位置,系较沿着该宽度方向的中央更沿着 该第1方向偏向上游侧。 4.如申请专利范围第1项之多结晶矽之制造方法,其 中进而具有关于该非单晶矽的表面上的该雷射光 束照射的区域,沿着该第2方向在邻接的其他区域 上照射该雷射光束的步骤, 于此步骤,也沿着该第1方向扫描该雷射光束。 5.如申请专利范围第1项之多结晶矽之制造方法,其 中显示该雷射光束的宽度方向的强度分布的特性 线的形,状,于该结晶化步骤以对该非单晶矽的表 面照射的雷射光束的能量密度前后徐徐使其改变 之能量密度之雷射光束,分别以指定脉冲照射被照 射物的不同区域,由各雷射光束的照射区域形状分 割出分别对应的雷射光束的能量密度分布,而合成 分割出来的各照射区域的能量密度的分布而定量 化。 图式简单说明: 第1图系模式显示照射于被堆积在玻璃基板上的非 结晶矽的雷射光束的沿着扫描方向的光束强度分 布之图。 第2图A、B、C系供说明定量化雷射光束的光束强度 分布的方法之图。 第3图系3次元显示定量化的光束强度分布之图。 第4图系显示搭载了具有使用由第1图所示的光束 强度分布的雷射光束藉由雷射退火所制造的多结 晶矽层之薄膜电晶体的液晶显示器。 |
