源极偏置的存储器单元阵列

摘要

一种使用“源极偏置”的存储器单元阵列，其中施加偏置电压至一个存储器单元(100)中的一个或多个FET的源极，以减小它们的“断开”状态的亚阈漏电流。在对于“断开”FET的小的正向偏置电压和对于正被读取的FET的地电位之间有选择地切换源极偏置电压。多个源极偏置电路(110，112，114，116)将有选择地切换的偏置电压提供该阵列中的存储器单元。

主权项

1.一种源极偏置存储器单元阵列，包括：多个存储器单元(100)，它们为安排成行与列的一个阵列，每个所述列具有各自的公共节点(102，104，106，108)，每个所述单元包括至少一个FET，一个给定的列中的每个单元的至少一个FET的源极在所述列的公共节点处连接在一起，每个单元的至少一个FET的栅极连至各自的行地址线(ROW 0，...，ROWN)，当所述存储器单元的状态被读取时，该行地址线被允许，当所述单元未被读取时，在至少某些所述单元中的至少一个FET传导亚阈漏电流至所述公共节点，以及多个源极偏置电路(110，112，114，116)，将每个源极偏置电路连至各自的所述公共节点之一，每个所述源极偏置电路包括：电阻(118，120，122，124)，它连在所述源极偏置电路公共节点与地之间，以及开关(126，128，130，132)，它跨接在所述电阻两端，当其闭合时，该电阻在所述源极偏置电路公共节点与地之间提供低电阻导电路径，所述开关响应于“读选择”信号(RS0，...，RSN)而闭合，无论何时读取连至所述源极偏置电路的公共节点的存储器单元之一，该信号都被允许，安排所述存储器单元阵列，从而当禁止所述“读选择”信号时，所述电阻传导连至所述源极偏置电路的公共节点的FET的亚阈漏极-源极漏电流，由此在所述公共节点处产生一个减少所述亚阈漏极-源极漏电流的电压。